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全球首款16层堆叠HBM4亮相-PG电子官网
全球首款16层堆叠HBM4亮相
栏目:行业资讯 发布时间:2025-05-31
 在台积电北美技术研讨会上,SK海力士首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案,并同步展出了多款面向AI和数据中心的内存新品。  根据官方介绍,SK海力士此次公布的HBM4规格相当亮眼。单颗容量最高可达48GB,带宽PG电子官网高达2.0TB/s,I/O速度达到8.0Gbps。公司计划在2025年下半年实现HBM4的大规模量产,最快今年底就有机会率先集成到相关产品中。值得注意的是,目前SK海

  在台积电北美技术研讨会上,SK海力士首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案,并同步展出了多款面向AI和数据中心的内存新品。

  根据官方介绍,SK海力士此次公布的HBM4规格相当亮眼。单颗容量最高可达48GB,带宽PG电子官网高达2.0TB/s,I/O速度达到8.0Gbps。公司计划在2025年下半年实现HBM4的大规模量产,最快今年底就有机会率先集成到相关产品中。值得注意的是,目前SK海力士是市场上唯一一家向公众展示HBM4技术细节的厂商,领先竞争对手三星和美光,后者目前仍处于送样阶段。

  除了HBM4,SK海力士还带来了全球首款16层堆叠的HBM3E产品,带宽达到1.2TB/s。该标准预计将应用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群产品,后续则会在NVIDIA Vera Rubin架构中转向HBM4。SK海力士表示,得益于先进的MR-MUF封装工艺与硅通孔(TSV)技术,才使得如此高层数的堆叠成为可能。

  在服务器内存方面,SK海力士同步展出了基于最新1c DRAM工艺制造的RDIMM与MRDIMM产品,传输速度最高达12,500MB/s。其中MRDIMM系列支持12.8Gbps速率,提供64GB、96GB和256GB多种容量选择;RDIMM系列则以8Gbps速率提供64GB与96GB版本,另有单条256GB容量的3DS RDIMM模块,全面覆盖高性能AI和数据中心应PG电子官网用需求。

  不久前,固态技术协会(JEDEC)宣布发布其下一代高带宽存储器DRAM标准。

  与之前的HBM3标准相比,HBM4提供了更高的带宽,将总带宽提升至2TB/s,通过2048位接口传输速度高达8Gbits/s,更高的带宽可带来更高的数据处理速率。此外,每个堆栈的独立通道数量也翻了一倍,从16个通道(HBM3)增加到32个通道(每个通道包含两个伪通道),这为设计人员提供了更大的灵活性。

  HMB4标准也解决了电源效率问题,它支持供应商特定的VDDQ(0.7V、0.75V、0.8V或0.9V)和VDDC(1.0V或1.05V),从而降低功耗并提高了能效。此外,HBM4也向后兼容现有的HBM3控制器。

  HBM4支持4/8/12/18层DRAM堆栈,芯片密度分别为24Gb或32Gb,可提供最高64GB(32Gb 16层)的单堆栈容量。它还支持定向刷新管理,以增强对row-hammer攻击的缓解效果,并提高可靠性、可用性和可维护性(RAS)。

  值得一提的是,2025年3月,SK海力士宣布推出业界首款12层HBM4样品,预计在认证完成后,将于2025年下半年开始量产。12层的HBM4实现了每秒超过2TB的带宽,SK海力士表示,这相当于每秒处理超过400部全高清电影(每部5GB)的数据,比上一代HBM3E要快60%以上。

  SK海力士采用先进的MR-MUF工艺实现了36GB的容量,这12层HBM产品中是最高的。该公司表示,该工艺有助于防止芯片翘曲,并可通过改善散热来提高产品稳定性。

  此外,美光也在财报会议上公布了HBM4进展。据悉,其HBM4产品将于2026年量产,与HBM3E相比,HBM4可将带宽提高60%以上。

  2024年11月,SK海力士首次展示了全球首款48GB 16层堆叠的HBM3E,并表示预计将在2025年上半年供应产品。相比于12层HBM3E产品,16层HBM3E产品可以将AI训练性能和推理性能分别提高18%和32%。

  据介绍,SK海力士16层堆叠HBM3E产品采用 MR-MUF技术制造。该技术结合了回流和成型工艺,通过熔化芯片之间的凸块将半导体芯片连接到电路上,并用一种称为液态环氧模塑料 (EMC) 的材料填充芯片之间的空间和凸块间隙,提高了堆栈的耐用性和散热性。通过先进技术实现了芯片的轻薄化,采用下一代MR-MUF技术可使芯片比传统芯片薄40%。

  值得注意的是,16层堆叠HBM3E只是一个过渡版本。从HBM3E过渡到HBM4将使I/O数量翻倍,带来更高的计算带宽,并增加芯片尺寸。但在从HBM3E 12hi升级到HBM4 12hi的过程中,HBM3E 16hi可以作为一种选择,提供较低的I/O、更小的芯片尺寸和更高的内存容量。具体来说,HBM3E每个堆叠层的容量为3GB,通过增加堆叠层数,整个芯片的容量可达到48GB。

  根据此前规划,SK海力士计划2025下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品,16层堆叠的HBM4将会在2026年推出。

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