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PG电子平台:长江存储申请存储器件的制备方法专利提高器件的密度
栏目:官网新闻 发布时间:2025-11-27
 国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器件的制备方法”的专利,公开号CN 121013341 A,申请日期为2024年5月。  专利摘要显示,本公开提供了一种存储器件的制备方法,涉及半导体芯片技术领域,旨在提高存储器件的存储密度。其中,存储器件的制备方<a href="http://www.tianpudq.com" target=&quo

  国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“存储器件的制备方法”的专利,公开号CN 121013341 A,申请日期为2024年5月。

  专利摘要显示,本公开提供了一种存储器件的制备方法,涉及半导体芯片技术领域,旨在提高存储器件的存储密度。其中,存储器件的制备方<a href="http://www.tianpudq.com" target="_blank" targ            PG电子平台et=_blank>PG电子平台法,包括:形成第一堆叠结构,第一堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层;形成第二堆叠结构,第二堆叠结构包括交替层叠设置的多个第二栅极层和多个第二介质层;形成第一连接结构,第一连接结构位于第一堆叠结构和第二堆叠结构沿第二方向的一侧,第一连接结构与至少一个第一栅极层连接,且第一连接结构与至少一个第二栅极层连接;形成位线,位于第一堆叠结构和第二堆叠结构之间。通过上述制备方法形成的存储器件,一个第一栅极层和一个第二栅极层共用一个第一连接结构,有利于提高存储器件的存储密度。    

  天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目1432次,财产线条,此外企业还拥有行政许可995个。

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