中国存储扩产：中国积极扩产导致特种存储（SpecialtyDRAM）供应过剩NAND模块价格压力增加大摩(CC
栏目：行业资讯 发布时间：2024-12-14
中国存储扩产: 中国积极扩产导致特种存储（Specialty DRAM）供应过剩，NAND模块价格压力增加大摩(C. Chan, 24/11/07) 中国正在积极扩展内存项目至2025年，（CXMT）和（YMTC）预计将扩大70万片晶圆的月产能（若设备进口不受限）。我们推荐ACMR、AMEC和北方华创（Naura），因其在2025年对CXMT和YMTC需求持乐观态度。 特种存储供应过剩加剧
中国存储扩产: 中国积极扩产导致特种存储（Specialty DRAM）供应过剩，NAND模块价格压力增加大摩(C. Chan, 24/11/07)
中国正在积极扩展内存项目至2025年，（CXMT）和（YMTC）预计将扩大70万片晶圆的月产能（若设备进口不受限）。我们推荐ACMR、AMEC和北方华创（Naura），因其在2025年对CXMT和YMTC需求持乐观态度。
特种存储供应过剩加剧：由于CXMT加速生产，消费型DRAM现货折扣达34%，显示出过剩问题。受消费者电子需求疲软影响，库存PG电子平台消化时间延长。目前，PC OEM、模块厂和服务器客户的平均DRAM库存约为12.3周。TrendForce预计2024年第四季度DDR4价格环比下跌3-8%，2025年第一季度进一步下跌8-13%。南亚科技可能持续亏损。同时，中国LPDDR4市场受CXMT激烈竞争影响，手机品牌因政府补贴而更愿意采用CXMT产品。
NAND模块短期承压：NAND晶圆现货价格自7月以来下跌26%，模块价格跌幅为10%。供应链数据显示中国NAND模块渠道价格因需求疲软面临压力。