TrendForce预计2024年第四季度DRAM市场的高带宽存储器(HBM)价格将上涨，而通用DRAM的价格将停滞不前。

　　02由于通用产品的低迷和进入HBM市场的延迟，三星电子第三季度的盈利受到冲击。

　　03然而，三星尚未开始向人工智能(AI)芯片巨头英伟达供应第五代HBM(HBM3E)，这将成为其恢复的难题。

　　05由于市场对HBM3e产品的需求激增，预计2025年HBM需求位元将有逾80%落在HBM3e世代产品上。

　　近日，TrendForce预计2024年第四季度DRAM市场的高带宽存储器（HBM）价格将上涨，而通用DRAM的价格将停滞不前。由于通用产品的低迷和进入HBM市场的延迟，三星电子第三季度的盈利受到冲击。许多专家表示，这家韩国半导体巨头必须认真地向人工智能（AI）芯片巨头英伟达供应HBM，才能从低迷中恢复过来。

　　今年第四季度通用DRAM的价格预计将比上一季度上涨0%~5%，但随着HBM在DRAM市场所占份额的上升，包括HBM在内的所有DRAM的平均价格预计将比上一季度上涨8%~13%。

　　第三季度通用DRAM价格的增长率为8%~13%，但预计第四季度将停滞不前，原因是经济衰退导致消费需求放缓，以及中国存储器制造商的供应增加。存储制造商扩大HBM生产将导致通用内存供应量下降，这将成为价格上涨的一个因素，但不足以抵消需求的低迷。

　　这对尚未开始向英伟达供应第五代HBM（HBM3E）的三星电子来说是一个艰难的境遇。三星公布的2024年第三季度临时营业利润为9.1万亿韩元，低于市场预期。这比上一季度的10.44万亿韩元下降12.8%。

　　这主要归咎于三星负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门业绩不佳。三星解释说：“在存储器业务方面，尽管服务器/HBM存储器的需求稳健，但由于一些移动芯片客户的库存调整、中国存储器制造商传统产品供应增加，以及一次性支出和汇率影响，DS部门业绩逐季下滑。”

　　TrendForce表示，预计第四季度的合约价格将下降5%~10%。TrendForce预计，LPDDR5X DRAM（最先进的产品和第七代芯片）的价格将保持不变，因为其库存水平相对合适。

　　其中一个关键因素是，三星尚未向HBM最大的企业客户英伟达供应8层HBM3E存储器。

　　三星的竞争对手SPG电子官网K海力士于9月份开始量产12层HBM3E产品，并在明年第一季度开始向英伟达供应。HBM通过多层DRAM大幅提高数据处理速度，其制造难度大、成本高，但由于AI行业的爆炸式增长，对其需求激增。

　　作为HBM市场的领导者，SK海力士在2024年第二季度实现营业利润5.4685万亿韩元，营业利润率为33%。第三季度营业利润为6.764万亿韩元，比上一季度增长23.7%。与SK海力士一起为英伟达提供HBM的美光公司2024财年第四季度的营收超过市场预期，达到77.5亿美元，比上一季度增长17%。

　　据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。

　　市场还传出因部分DRAM供应商积极增加硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程产能，将造成2025年出现供过于求与价格下滑的可能。根据两家韩国DRAM厂商目前的TSV产能提升计划，Samsung将从2024年底的单月120K至2025年底增加为单月170K，提升幅度超过40%，而SK hynix在同期的月产能提升比例预估为25%。但由于厂商产品尚未完全通过验证，产能提升规划是否能落实有待观察。

　　TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，从过去HBM3与HBM3e世代的量产历程来看，8hi产品的良率至少历经两个季度的学习曲线才达到稳定，因此，当市场需求快速转向HBM3e 12hi产品时，预计学习曲线也无法明显缩短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都将采用HBM3e 12hi，由于整机造价高昂，对HBM的稳定度要求将更严苛，无疑成为了HBM3e 12hi量产过程的一项变量。

　　TrendForce集邦咨询预估，受AI平台积极搭载新世代HBM产品推动，2025年HBM需求位元将有逾80%落在HBM3e世代产品上，其中12hi的占比将超过一半，成为明年下半年AI主要竞争厂商争相竞争的主流产品，其次则是8hi。因此，即便出现供过于求情况，推测最有可能发生在HBM2e和HBM3等旧世代产品上，至于对各DRAM供应商的影响程度，将取决于各家的产品组合。