市场将呈现出一丝暖意，但仅限于高带宽存储器（HBM）领域。预计HBM价格将实现环比上涨，而通用DRAM的价格则将停滞不前。

　　这一预测反映了DRAM市场的复杂现状。由于通用DRAM产品的需求低迷，以及厂商进入HBM市场的延迟，半导体巨头在第三季度的盈利受到了显著冲击。为了摆脱这一困境，许多专家指出，三星电子必须加强与人工智能AI芯片巨头英伟达的合作，向其供应HBM产品。

　　TrendForce的预测显示，今年第四季度通用DRAM的价格预计将维持在当前水平或略有上涨，涨幅在0%~5%之间。然而，随着HBM在DRAM市场中所占份额的逐渐上升，包括HBM在内的所有DRAM产品的平均价格预计将实现更大幅度的上涨，涨幅在8%~13%之间。

　　这一预测为DRAM市场带来了一丝希望。尽管通用DRAM市场仍然面临挑战，但HBM等新兴领域的崛起为市场带来了新的增长点。对于三星电子等半导体厂商而言，抓住这一机遇，加强与HBM相关领域的研发和生产，将是实现市场复苏的关键。未来，随着HBM技术的不断发展和应用领域的拓展，DRAM市场有望迎来更加广阔的发展前景。

　　近日，TE Connectivity(以下简称“TE”)发布了截至2024年9月27日的2024财年

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