SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM。在这之前，三星和美光也都表示，将启用EUV光刻机闪存内存芯片之后，不过美光时间上要更晚一些，其要在2024年生产新的EUV内存芯片。去年SK海力士宣布斥资90亿美元（约合600亿元）收购Intel闪存部门，合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头，六大原厂将减少为五家。
据悉，今年8月以后，DRAM需求并未如期反弹，而且1GB DDR2价格反而单日暴跌将近7%，并创下1.5美元的历史新低。存储芯片业厂商表示，金士顿(Kingston)已经在大陆地区降价清库存，让各界认清目前需求没有好转的事实，另外，美光(Micron)8月底面临季报的压力，卖出价格压低，使得整个DRAM市场信心大跌，在销售旺季创出DDR2历史新低价。 由于PC厂商考虑油价上涨因素，大部分产品改走海运，传统旺季所需DRAM芯片大多提前备货完毕，合约价在连续上涨几个月后，8月涨势终止，出现下滑。不过，现货市场对旺季仍有期待，认为通关限制解禁以后，价格将再出现上涨趋势。 事与愿违，8月过后，整个DRAM市场需求没有起色，
记忆体IC设计业者今年前三季的获利表现迥异，NAND Flash控制IC为主的业者均缴出不错获利的成绩单，又以群联(8299)EPS超过10元，傲视群雄，擎泰(3555)、安国(8054)分别以6.11元、2.56元排PG电子官网名在后，反观，DRAM相关IC设计业者全军覆没，均缴出亏损的成绩单，以力积(3553)EPS-3.77元最惨重。 记忆体IC业者表现两极，NAND Flash阵营的都有不错的获利，DRAM相关则惨不忍睹，亏损程度严重。以NAND Flash控制IC族群来看，群联前三季税后净利达17.91亿元，年增率达46%，EPS10.07元，遥遥领先同业，其中第三季单季EPS高达3.9元，超乎市场预期。 值得一提的是，群联产品组合
紫光集团董事长赵伟国作为中国发展半导体领军人物，他近期接受Nikkei Asian Review专访时，提到两个发展重要目标，第一，在行动芯片业务方面，要在2020年时，大幅缩小与全球两大手机芯片商美国高通、台湾联发科技距离。另一方面，在十年内，紫光要跃身成为全球前五大记忆体制造商。 中国还完全没有记忆体芯片产出，若以NAND Flash内存产能来说，南韩的三星、SK海力士，日本东芝、美国的西部数据（Western Digital）及美光、英特尔掌握了全球市场。而紫光旗下行动芯片商展讯通信，在4G行动业务及客户拓展也还大幅落后。 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就
DRAM存储器是有史以来价格波动最剧烈的IC产品。下图是DRAM波动性强的又一例证， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年时间，DRAM价格已经翻了一番还要多。市场调研机构IC Insights表示，2017年DRAM单位存储价格(price per bit)涨幅将超过40%，为史上最高。 仅仅一年前，DRAM采购商还在尽可能利用产能过剩状况来向DRAM制造商压价，根本不管DRAM制造商在这样低价合同上会赔多少钱。现在，DRAM制造商正在“复仇”，不断涨价以赚取超额利润，为下一次进入买方市场时做准备。现在，存储器制造商也无视由于存储器价格高涨带来的负面影响，例如电子系统厂商销售减少(由于价格上涨压制需求)或亏
在存储器需求减少导致收益性恶化的背景下，三星会长李在熔似乎仍坚持采取「不人为减产」策略。 根据韩国民族日报报导，三星会长李在熔日前与半导体事业暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门长庆桂显、存储器事业部长李祯培等半导体事业主要负责人进行会谈。据悉，虽然部分人士提出减产的必要性，但李在熔最终仍决定不减产。 目前三星存储器维持「非人为减产」的事业基调，正透过制程转换、设备更新等方式，进行「自然减产」。不过也有意见认为，在4月初发布2023年第1季暂定财报前，很可能再度召开会议，调整不人为减产的策略。 根据证券业界消息，三星与SK海力士（SK Hynix）的DRAM、NAND Flash库存水位已高达
据国外媒体报道，根据市场研究机构iSuppli日前公布的研究报告显示，今年AMD和现代半导体首次杀入全球半导体行业前十强。 根据iSuppli当天公布的数据显示，今年AMD半导体业务营收预计将增长90％，排名将从去年的第15位升至第7位。与此同时，现代半导体营收预计将增长32.5％，排名也将从去年的第11位升至第8位。iSuppli副总裁福特当天表示，这是该机构统计半导体行业排名六年来AMD和现代半导体首次杀入前十强。 iSuppli表示，两家公司的强劲表现主要得益于全球范围内半导体产品热销。与此同时，iSuppli预测，今年全球半导体销售额将达到2585亿美元，较2005年的2373亿美元增长9％。此前，iSuppli曾预测今
SK海力士（或‘公司’，）宣布开始量产业界最高容量的18GB LPDDR5 移动端DRAM产品。 SK海力士此次实现量产的产品将搭载于最高配置的旗舰智能手机，为高分辨率游戏与视频处理需求提供最佳的性能体验。公司预测此产品的适用范围随后将通过超高性能的摄像软件与人工智能等最新技术的支持陆续扩大。 SK海力士相关人士表示：“18GB LPDDR5 移动端DRAM与此前16GB产品相比具备更大的容量，有效提升了数据临时存储空间。” 此次量产的产品处理速度高达6400Mb/s，与至今搭载于智能手机的移动端DRAM（LPDDR5，5500Mb/s）相比提升约20%。6400Mb/s的传输速率意味着能够在1秒内传
2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发出警告，认为今年DRAM芯片恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。 全球DRAM芯片龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警告，看法与三星大为迥异。海力士发警告，将牵动南科、华亚科、力晶以及创见、威刚等台湾内存企业发展计划。 外电报道，海力士执行长金钟甲在接受媒体採访时透露，由于各大晶片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM芯片会供给过剩;不过，他认为储存型快闪记忆体(NAND Flash)需求仍会不错。 海力士提出的隐忧昨天并未对DRAM芯片现货价
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2024年11月4日，恩智浦半导体公司（NXP Semiconductors N V ，简称NXPI）今日发布了截至2024年9月29日的第三季度财务业绩。尽管宏观经济 ...
2024年11月4日，Lattice半导体（NASDAQ：LSCC）发布了2024年第三季度财报，并召开了财报电话会议。公司首席执行官Ford Tamer与临时首席财 ...
DigiKey 在 2024 年第三季度新增 611,000 多种产品和 139 家供应商
LT1634AIS8-1.25 超准确 ±4.096V 输出电压基准的典型应用
LT1118CST-2.85 具有数字控制功能的 2.1V 至 6.5V 可变稳压器的典型应用电路
具有 6V 栅极驱动器的 LTC3892IFE-1 高效率、双通道 3.3V/8.5V 输出同步降压转换器的典型应用电路
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