的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调

　　业内分析师指出，上游制造商的关注点正在从NAND转移到DRAM，特别是DDR4和DDR5等型号，成为下一轮价格上涨的关键推动力。

　　尽管市场需求目前尚未完全稳定，但存储器行业内部人士透露，他们最近收到了三星提出的警告，预计第1季DRAM价格至少将上涨15%。至于NAND的涨幅虽然尚未明确提出，但预计将继续上涨，存储器价格上涨趋势可能会持续至2024年底。

　　此外，其他存储器模组制造商也向客户发布通知，预计在2024年第1季，三星和美光将相继上调DRAM价格，涨幅约为15%到20%。与去年12月DRAM报价微幅上涨2%-3%相比，这一涨幅明显低于3D TLC NAND的上涨幅度，后者约为10%。

　　随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场供应将持续紧张。从1月份开始，制造商将调整DRAM的新报价，以促使客户提前规划未来的使用需求。

　　业内观察认PG电子官网为，进入2024年后，DRAM价格上涨的趋势将变得更加显着。由于DDR4库存较高，导致市场价格相对疲弱，为了缓解营运亏损，预计2024年上半年将集中调整DDR4和DDR5的价格，而DDR3的产能和需求相对稳定，其涨幅相对平稳。

　　尽管上游制造商在第1季度启动DRAM价格上涨行动并不令人意外，但存储器模组制造商认为DRAM价格上涨的动力主要仍然来自于上游制造商的人为操纵。他们此前的内部预测已经表明，他们预计将迎来单季涨幅约15%到20%，因此近几个月已陆续回购低价库存。

　　预计这轮DRAM价格上涨将由三星率先发动，其操作方式几乎与2023年第3季NAND价格上涨相似。然而，未来DRAM价格是否会像NAND Wafer一样强劲攀升，还需观察市场需求。

　　业内预计，随着上游制造商酝酿2024年第1季DRAM价格上涨，多家记忆体模组制造商已经收到信号，启动备货计划。预计向OEM厂提供的合同价格将在一个季度内有所延后，从第2季度开始将充分反映DRAM价格上涨的趋势。

　　季度以来开始的下滑趋势。   另一方面，受益于智能手机及人工智能的发展，导致数据中心服务器需求大增，包括商用存储的紧缺，都让

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　　143万亿韩元；SK海力士紧随其后，市值由55.11兆韩元攀升至103.67兆韩元，

　　和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能，这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在，最新消息表明，

　　上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。

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