据韩媒报道，三星电子副总裁柳昌植（DRAM先进开发团队负责人）近日表示，三星电子下一代DRAM路线b DRAM正在顺利量产，4F Square也正在顺利开发，三星将在内存领域保持超级差距。

　　其中，4F Square DRAM 是下一代DRAM，其存储单元（存储数据的最小单位）结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。

　　目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高，因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。

　　此外，三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案，包括量产1b（第五代10纳米级DRAM）DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。

　　三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试，目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

　　据韩媒报道，SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

　　台积电在2024年的技术研讨会上展示了两款HBM4基础裸片，分别是N12FFC+和N5制程技术，其中N5版相较于N12FFC+版面积更小，性能更高，功耗更低，支持6~9μm级别的互联间距，并能实现与逻辑处理器的3D垂直集成，有望大幅提升HPC和AI芯片的内存带宽。

　　SK海力士与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）量产上的合作分工已确定，其中，台积电负责HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在SK海力士自家的后端工艺工厂进行。

　　据韩国业界人士透露，三星电子正在为苹果下一代XR设备开发LLW DRAM产品。

　　LLW DRAM是下一代DRAM，通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽（发送和接收数据的路径），可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业，取代现有的LPDDR。

　　消息称，三星电子正试图在苹果的LLW DRAM供应链中追赶SK海力士，三星目前正在将该产品商业化，包括小批量生产。

　　美光宣布MRDIMM已开始提供样品，将于今年下半年开始批量出货。该产品可与英特尔至强6处理器兼容。

　　MRDIMM内存全称为Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合并阵列双列直插内存模组），通过将多个DRAM组合在一块主板上，使其能够同时运行两个Rank（内存列，模组处理信息的基本运行单位），从而提供双倍数据的传输速率，提升内存处理速度。

　　对于每个 DIMM 插槽需要超过 128GB 内存的应用程序，MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM，能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，从而加速内存密集型虚拟化多租户、HPC 和 AI 数据中心工作负载。

　　MRDIMM 支持标准和高尺寸 (TFF) 的广泛容量范围，提供32GB-256GB多种容量选择，适用于高性能 1U 和 2U 服务器。TFF模块改进的散热设计可在相同功率和气流下将 DRAM 温度降低多达20摄氏度，从而提高数据中心的冷却能力，并优化内存密集型工作负载的总系统任务能耗。

　　力积电于法说会上表示，存储产业已回到健康状态，带动存储稼动率在第2季已达9成，第2季起DRAM代工客户需求强劲，NAND Flash需求也强，市场共识价格会逐步往上，力积电存储晶圆产能几乎全开。其中NOR Flash应用预估明年将开始贡献营收。

　　此外， 12英寸厂稼动率第三季将提升至80%以上，而消费与车用需求的增温也将带动8英寸厂稼动率达到70%，且预期后续产能利用率仍将缓步上升。

　　力积电今年资本支出9.44亿美元，主要在P5厂采购铜制程设备配合中介层需求。资本支出较先前4月调升至10.4亿美元的预估略微下修9%。另外力积电看待晶圆代工价格已落底回升。

　　据外媒消息，AMD正在开发针对AM5插槽的经济型CPU产品系列，预计售PG电子平台价将低于100美元，有望采用台积电7nm工艺。此举旨在进一步下探锐龙7000系列售价，与英特尔赛扬处理器竞争，扩大市场份额。

　　AMD计划在Socket AM5上销售这款经济型CPU，同时可能推出1-2款基于现有低端Ryzen 7000 CPU的速龙或锐龙3系列处理器，完善产品线、鸿海集团：预计明年云端营收占比将达50%

　　鸿海集团计划通过搭载英伟达GB200 AI芯片的服务器产品，推动其2025年业绩增长。预计明年云端网络部门的营收占比将达到45%至50%，超越以iPhone为主的消费智能产品部门，成为主要营收来源。