存储产品就是用来临时或永久保存数据的硬件组件，我们可以根据核心技术、性能特征和应用场景，把它系统地分成几大类：嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存模组、LPDDR，还有可移动存储。

　　DRAM 是电脑和手机里的运行内存，负责临时存放数据，速度快但断电就清空，类似工作时的桌面，支撑设备实时运算。

　　NAND Flash 则是存储内存，用于长期保存文件、照片和系统，断电数据不丢失，类似存放资料的仓库。

　　AI 需求持续增长：生成式 AI 技术迭代推动 AI 训练与推理需求爆发，AI 正深度渗透各下游领域，厂商与云端设施加速向 AI 端侧转型，AI 服务器成为存储需求核心，重塑市场格局。

　　存储下游需求分化：据佰维存储招股书及相关机构，2025-2029 年全球存储市场规模将扩大；AI 端侧存储复合增速 36.4%，AI 服务器存储年化增速 14.1%；传统消费电子存储受价格上涨与供应短缺影响，规模及占比将下滑。

　　存储行业存在 8-10 年的需求驱动长周期，从 PC 时代、智能手机时代到当前 AI 时代，均遵循 “新需求出现后逐步普及、渗透率持续提升” 的规律。

　　下游产品与技术创新催生新增需求时，存储厂商会增资扩产以扩大销量；若下游需求不及预期，厂商则会通过降价去库存、主动缩减产能来收缩供给，市场供需形成循环往复的周期。

　　同时，存储芯片技术升级与投资周期紧密绑定，原厂扩产需要高额资本投入且技术壁垒极高，因此厂商通常会选择规模化生产的方式来更好地实现盈利。

　　本轮存储超级周期的核心驱动力是 AI 大模型超预期迭代升级，由此带来海量数据存储、处理与检索需求。

　　生成式 AI 快速迭代推动数据量和 Token 呈指数级增长，存储产品作为数据中心核心载体，直接拉高了对 HBM、DRAM、NAND 等存储介质的需求，开启新一轮存储超级需求周期。

　　据 Open Router 数据，2026 年 2 月全球主要大模型消耗的 Token 量是 2025 年同期的 10 倍及以上，凸显出旺盛的算力与存储需求；

　　2025 年第二季度以来，谷歌、字节等海内外巨头的日均 Token 处理量增速显著加快，反映出全球 AI 应用正从 “文本对话” 向 “多模态交互” 演进，Token 处理量的指数级增长直接驱动了算力与存储需求。

　　同时，全球互联网巨头正加速算力基础设施建设，2025 年主要云服务厂商（CSP）合计资本支出约 4000 亿美元，预计 2026 年将增长 25% 至约 5000 亿美元，算力军备竞赛持续升温。

　　生成式 AI 持续迭代，在 AI agent、多模态应用与原生视频技术推动下，全球数据呈指数级增长，直接引爆数据中心存储需求。

　　单条多模态任务数据量从 KB 级跃升至 GB/TB 级别，长上下文推理和实时视频流处理对存储带宽与容量提出极致要求。

　　同时，多模态应用迎来爆发，Sora2、Seedance2.0 等视频生成模型实现技术飞跃；字节的 Seedance2.0 支持多模态输入，其生成的 10 分钟长视频体积超 10GB，10 秒视频消耗的 Token 是文本生成的数十倍，进一步推高算力与存储需求。

　　存储行业的周期性波动本质是供给驱动的自我修正，产能建设滞后导致 “供不应求” 与 “供过于求” 交替，行业重复 “复苏 — 扩张 — 顶峰 — 衰退” 循环。

　　筑底复苏阶段，供给收缩叠加需求增长，供需逆转，库存回落后价格反弹，开启新周期。

　　历经多轮周期，厂商扩产趋于保守，新增资本主要用于 HBM4、3D NAND 等技术升级，而非单纯扩产。同时，新建存储晶圆厂需 1.5-2 年，新增产能 2027 年底才释放，且工艺、洁净室等瓶颈导致扩产难度大，洁净室建设周期远跟不上 AI/HBM 需求爆发。

　　从 2023 年第一季度开始，AI 需求冒头，存储行业就开始回暖，美光、海力士这些大厂的货卖得更快了，手里的库存明显变少；到 2025 年第二季度，随着 AI 推理和多模态应用爆发，存储原厂的库存更是加速见底。

　　现在全球云服务厂商都在抢着建算力基础设施，存储市场一直供不应求，部分原厂 2026 年的高端产能早就被提前订光了，供应一直很紧张。

　　根据海力士、美光、三星的交流，现在 DRAM 和 NAND 的库存已经是历史最低，平均只够卖 3 到 5 周，属于极度紧缺的状态，短期没法快速增产，所以这些原厂在谈判里特别有话语权。

　　中游的存储模组厂，2023 年时库存都压得很低，到 2024-2025 年存储行业进入上行周期，这些厂就开始主动 “补库存”；尤其是 2025 年二季度存储价格大涨后，大家都舍不得卖货，手里库存的总金额涨了，但实际的模组数量还是维持在偏低又稳定的水平。

　　具体到厂商，江波龙走 “长期合约 + 现货采购” 的路子，在晶圆颗粒价格便宜时用长约锁产能，让库存增长刚好匹配需求，2024 年二季度至今它的库存绝对值明显提升。

　　AI 需求爆发是 DRAM 市场复苏的核心驱动力。从 2023 年第一季度起，AI 算力需求持续攀升，带动 DRAM 和 NAND 市场逐步回暖并加速增长；后续随着 AI 推理、多模态等应用爆发，AI 服务器对 HBM、DDR5 等高端 DRAM 的需求更是迎来爆发式增长。

　　最新的市场规模预测情况如下所示，2025年中期以来，多模态和视频生成需求彻底引爆，算力与存储需求猛增，HBM 和 DDR5 供不应求，全行业进入抢货格局，连 DDR4、DDR3 都跟着涨价，DRAM 全系产品价PG电子平台格飙升，市场规模大幅扩大。

　　存储行业的原厂格局高度集中，形成了典型的 “三巨头” 局面，这是因为这个行业技术壁垒极高、需要巨额资本投入、生态绑定紧密，还得靠规模效应才能盈利，多重门槛把新玩家挡在了门外。

　　具体到 DRAM 市场，三星、SK 海力士、美光三家更是形成了绝对垄断，合计市占率超过 91%。截至 2025 年第三季度，三星占 34.8%，SK 海力士占 34.4%，美光占 22.4%，剩下的南亚科技、华邦电子等厂商份额加起来才 2% 出头。

　　从三家大厂的策略来看，它们都把重心放在高端产能上，积极扩产 HBM 和先进 DRAM，而对 DDR4、DDR3 这些低端产品的产能扩张则持谨慎态度，不会轻易加码。

　　当前存储市场的核心逻辑是高端需求爆发、长期缺货，中低端与消费级供给被压缩，进而带动价格补涨。

　　高端 HBM 和 DDR5：从 2023 年第一季度起，多模态、视频生成等 AI 应用爆发式增长，AI 服务器对 HBM、DDR5 这类高端 DRAM 的需求急剧攀升；叠加英伟达等巨头提前锁定产能，DDR5 和 HBM 持续供不应求，价格一路飞涨。

　　中低端 DDR4 和 DDR3：在这轮涨价周期中，原厂将大量先进产能转向 HBM 与 DDR5，直接挤压了 DDR4、DDR3 的产能空间；同时，原厂减产部分消费级和低端芯片的消息，引发下游 ODM、模组厂及经销商恐慌性囤货，推动价格暴涨。中长期来看，DDR4/DDR3 利润微薄，大厂不愿投入资本扩产，短期产能缺口将持续存在。

　　现在三星、SK 海力士、美光这三大存储巨头，都把 HBM4 当成核心发力点，在技术、产能、客户、资本四个维度上展开全面竞赛。目前像 Rubin 这样的 AI 平台，已经有了千亿级别的 HBM 订单。从当前格局来看，SK 海力士暂时领先，三星正强势反攻，美光也在全力追赶。

　　从 2025 年第二季度至今，AI 多模态和推理需求爆发，带动企业级 SSD 需求猛增，可三大存储厂却把原本给 NAND Flash 的产能，切去了 HBM 和 DDR4/DDR3，这直接导致 NAND 出现结构性短缺，价格全面上PG电子平台涨。

　　以闪迪为例，2025 年 4 月首次官宣全渠道、全消费类产品统一涨价 10%，还预告会按季度调整价格，2025 年下半年 NAND 现货价格持续走高，厂家也在不断上调合约价格。

　　存储行业（尤其是 DRAM、NAND、HBM）呈现高度集中的三巨头格局，源于技术壁垒高、资本投入大、生态绑定深、规模效应显著等多重门槛。

　　NAND 领域则是五巨头寡头垄断，合计占约 90% 市场份额；2025 年第三季度，三星（29.1%）、SK 海力士（19.2%）、铠侠（16.5%）、闪迪（12.5%）、美光（12.2%）分列前五。

　　当前，三星、美光、SK 海力士这三大原厂对 NAND 的产能扩张都很谨慎，更多把资源集中在 DRAM 扩产和 NAND 自身的技术升级上，彼此间形成了相对默契的步调。

　　NAND 技术迭代核心有两点：一是 3D NAND 堆叠层数与位密度（单位面积存储量）同步提升，带动存储容量扩容；二是下一代技术聚焦堆叠层数演进、W2W 键合，其中混合键合是核心，可实现更高密度、更低功耗的芯片互联。