迄今为止，就制程而言的10纳米（即20纳米以下）级DRAM的细微化蓝图（Roadmap）已经发展经历了五个代际，具体被称为：“1X纳米代”、“1Y纳米代”、“1Z纳米代”、“1α纳米代（1Anm）”、“1β纳米代（1B纳米代）”。2018年夏季， “1X纳米代”处于量产中、完成了“1Y纳米代”的研发且处于客户认证中、“1Z纳米代”处于硅芯片（Silicon Die）级别的研发（即处于优化工艺制程的过程中）。后来的“1α纳米代（1Anm）”处于研发期，且在推进工艺技术的集成化。2018年底，“1Y纳米代”开始量产。2019年夏季，“1Z纳米代”开始量产，且将“1Z纳米代”的生产技术应用于16Gbit DDR4SDRAM和16Gbit LPDDR4 SDRAM的生产。以上列举的仅仅是缩略代号，具体而言，“1X纳米代”为19纳米-18纳米、“1Y纳米代”为17纳米-16纳米、“1Z纳米代”为16纳米-14纳米（在镁光进行了主题演讲后，答疑环节获得了此处的具体数值）。可以看出，代际的细微化发展仅有1纳米-2纳米左右，如果按照以上这个节奏发展下去，可以推测出“1α纳米代（1Anm）”为14纳米以下、“1β纳米代（1B纳米代）”为13纳米以下。在镁光的演讲中，也展示了其未来的发展蓝图（Roadmap），“1β纳米代（1B纳米代）”以后为“1γ纳米代”、“1δ纳米代”。就细微化尺寸而言，推测“1γ纳米代”为12纳米级、“1δ纳米代”为11纳米级。各个代际的量产间隔未来还会保持12个月左右的时间。具体而言如下：“1α纳米代（1Anm）”的量产时间预计在2020年末-2021年初，“1β纳米代（1B纳米代）”的量产时间预计在2021年末-2022年初，“1γ纳米代”的量产时间预计在2022年末-2023年初，“1δ纳米代”的量产时间预计在2023年末-2024年初。

　　就尖端DRAM的研发而言，现在人们普遍关注的是EUV Lithography（EUV光刻技术）与4F2Memory Cell技术的导入。大型DRAM厂家三星（Samsung Electronics）在今年（2020年）3月25日正式公布说，已经开始运用EUV光刻技术的工艺来量产DRAM模组（Module）。此外，大型DRAM厂家海力士（SK Hynix）也预计会在不久的将来把EUV光刻技术应用到DRAM的生产中。然而，镁光却对EUV光刻技术的采用持有较消极的态度。在2018年6月份，镁光明确表示，在“1β纳米代（1B纳米代）”之前，都不会采用EUV光刻技术。在此次的主题演讲后的答疑环节中，镁光表示：“1β纳米代（1B纳米代）”不采用EUV光刻，即使采用EUV光刻，也是在“1γ纳米代”之后，此外，目前还没有决定“1γ纳米代”是否采用EUV光刻。就EUV光刻的技术要素而言，镁光表示，目前正在关注光刻胶（Resist）技术、光罩（Reticle, Mask）技术的研发情况。另一方面，就4F2Memory Cell的导入而言，镁光表现出了模棱两可、神秘的态度。顺便说一下，在当前的DRAM Cell的技术中6F2Memory Cell是主流。如果导入4F2Memory Cell技术，从理论上看，Memory Cell（存储单元）面积会缩小至6F2Memory Cell的三分之二左右。镁光在演讲中表示，4F2Memory Cell的关键要素在于新材料（New Material）。在答疑环节，笔者感受到镁光会优先采用4F2Memory Cell技术，而不是EUV光刻技术。但是，细微化的加工技术对4F2Memory Cell而言是现存的一大难题。在镁光演讲的幻灯片PG电子网站中，笔者观察到自“1β纳米代”以后，ArF液浸曝光的Multi Patterning（多重成像）技术将会发生较大的变化。在“1α纳米代（1Anm）”之前，Double Patterning（双重成像）的较多、Quadruple Patterning（四重成像）的极其少。此外，在“1β纳米代（1B纳米代）”以后，Quadruple Patterning（四重成像）的开始增多、Double Patterning（双重成像）逐步变少。如果导入4F2Memory Cell技术，光刻技术的负担将会进一步加大，而且，对蚀刻（Etching）技术、成膜技术的要求也会很严格，需要在技术上下大功夫。

　　关键字：引用地址：美光公布最新DRAM路线Memory Cell能否成为关键技术

　　随着2009年的过去，DDR2作为DRAM市场之王的日子同样也快走到尽头。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世。我们认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 但DDR2还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它的价格在过去数月大幅上涨。然而，DDR3将是今年的摇钱大树。主要有两个原因在推动产业向DDR3过渡：英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。 新款英特尔处理器促进产业向DDR3过渡的一个事实是，新款英特尔微处理器将需要DDR3内存。尽管英特尔最近推出的芯片许多都能处理DDR2或DDR3，但基于Nehalem的新款CPU有一个集成的内存控制器，可以独自支持DDR3的多个通道。2010年，英特尔的路线

　　近期DRAM需求畅旺，价格持续上涨，销售量不断攀升。面对制造DRAM势不可挡利润，芯片厂已将其视为肥肉，不断扩大DRAM产能。作为全球第二大DRAM制造商的SK海力士也不甘示弱，意欲成为DRAM市场的霸主。   今年第3季度SK海力士的销售额达8.1兆韩元，成绩卓越，这使得其销售、营业利润以及本期净利润均创造出最高纪录。海力士采取许多措施，积极增加投资以提升DRAM的产品市占和市场利润。   10月29号，SK集团副会长、SK海力士(株)代表理事CEO朴星昱赴无锡考察。并宣布与无锡市政府签约，海力士新建第二工厂专案，总投资86亿美元，项目建成后，将形成月产20万片10纳米级晶圆的生产能力。   今年初，SK海力士才计划从今年起用为

　　DRAM最大的应用市场向来是PC，而现在有一个新兴应用市场开始涌现对DRAM的大量需求；根据市场研究机构iSuppli的预测，智能手机对DRAM的需求量正以超过10倍的速度成长，预计将由09年的平均每支123Mbytes，到2014年成长至1.3Gbytes。 根据iSuppli估计，智能型手机用DRAM容量将由2009年的平均每支123 Mbytes，在2010年成长至212 Mbytes，再分别于2011年、2012年达到562 Mbytes与862 Mbytes。而在这样的趋势下，有两家内存供货商尔必达(Elpida)与美光(Micron)，最近分别采取行动希望能抓住成长商机。 美光最近宣布以12.7亿美元总

　　据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是 DRAM 和闪存价格为什么今年会上涨的原因。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 三星 在 DRAM 和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，提高至260亿美元。相对而言，英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元，较2016年增长了25%。事实上， 三星 的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。 三星 的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算，保障足够的供应量，从而保有自己的市场份额

　　内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU) 今日宣布携手联想及联宝科技 (联想旗下最大的制造和研发机构) 成立联合实验室。该实验室是内存和存储业界首家同时联合原始设计制造商 (ODM) 及原始设备制造商 (OEM) 的联合实验室。这种独特的三方合作模式将加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿创新技术 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在联想产品设计中的应用，从而更好地满足用户的核心工作负载需求。 美光全球销售高级副总裁 Mike Bokan 先生表示：“美光始终致力于促进创新、推动科研和优化

　　日前，美光科技（Micon）在西安的新厂房完成奠基仪式，正式破土动工。新厂房预计将于2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。新厂房落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米，而美光在中国的员工总数量将达到4800余人。 2023年6月，美光宣布在西安追加投资43亿元人民币。这个项目除了加建新厂房，还会引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，如移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。美光西安生产的产品不仅会供给中国本地企业，还将会被销往全球市场 坚持投资 西安厂房 过去18年中，美光对西安的投资额已经达到110多亿元。 美光曾先后在2007年、2010

　　西安新厂奠基：进出口额连续17年位列陕西省第一名 /

　　2017年内存、电容双双缺货涨价，其中内存每季度涨价超20%，电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉，缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更为重要的潜在影响因素。 （DRAM）内存原厂出货量由三星电子一家独大，占据了近5成的市场份额。据供应商爆料称，如果既在三星电子有渠道积累，现今又在终端品牌相关业务任职，就具备炒货契机。因为在今年DRAM缺货涨价潮中，对下游终端大客户影响PG电子网站其实并不算大，由于双方基于合同执行与大客户战略，即便缺货，也会优先供应大客户，同时大客户也不在涨价目标客户群之列。  该供应商进一步透露，在这种条件下，假设原本某手机大品牌实际DRAM订单是100KK，但在缺货涨价声中，终端大客户受影响不大，而

　　随着产业旺季需求逐步浮现，DRAM现货抛售行动止步，集邦科技调查，DRAM现货价昨（13）日单日大涨近8%，创下7月以来单日最大涨幅。 其中主流DDR3 2Gb DRAM报价重新站上1.6美元，达到1.62美元，涨幅7.9%；DDR3 4Gb DRAM虽还在3.05至3.35美元游走，均价小涨至3.1美元，涨幅0.49%。 DRAM业者透露，7月以来标准型DRAM跌幅逾15%，主要是因为SK海力士认为，每年美光都会在8月年底抛货抢单，因此SK海力士率先于7月出招，8 月美光跟进，才会形成现货市场价格急速滑落。 不过，由于美光近来在服务器及车用电子销售不错，美光今年8月抛货幅度未如往年大，加上传统电子旺季陆续浮现，市场随即见风

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　　1，普通版，输出功率2x1W，8欧姆负载，无须外接电源，带DC音量调节电位器和电源开关，工作指示LED，采用高档LM4866MT做功放。2，HI-FI级USB ...

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　　如图所示是“欢迎光临、欢迎惠顾”声光语音，音乐集成电路原理图。IC内部存贮2段。欢迎光临、欢迎惠顾”语音信息和7首旋律优美、保真度高的 ...

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