该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 20~10 nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

　　除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的CMM-H 混合存储模组。

　　ChoiJang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力。

　　展望未来，ChoiJang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花。”

　　本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉PG电子平台及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话；邮箱：。

　　AN-715：走近IBIS模型：什么是IBIS模型？它们是如何生成的？

　　Allegro教程AllegroDesignEditorTutorial