摩根大通认为，在AI计算对高性能内存的巨大需求的推动下，“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”，预计到2027年，全球存储市场规模将达到近3000亿美元。

　　报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存(HBM)迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。

　　基于此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模(TAM)预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。

　　报告预计，到2027年，仅AIPG电子官网相关应用就将占据DRAM市场 TAM的53%。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出(Capex)提高7%至12%，其中DRAM的产能扩张将是优先事项。

　　报告分析，这一转变主要得益于企业级固态硬盘(eSSD)需求的激增。一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器(HDD)的供应短缺。据媒体报道，部分近线HDD的交付周期已长达52周。这使得原本主要由HDD主导的近线存储市场，开始大规模将eSSD作为替代方案。

　　摩根大通预计，NAND价格仍有进一步上涨空间，其混合平均售价在2026财年将同比增长7%。报告同时补充称，虽然AI推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如HBM之于GPU计算，因此对NAND市场的长期前景持相对审慎乐观的态度。