据媒体1月3日报道，内存模块行业传出消息称，三星电子和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。

　　业界人士称，上游原厂涨价焦点将从 NAND 转移至 DRAM，DDR4、DDR5 有望成下一波调涨重点，以加速改善营运亏损。至于 DDR3，其产能及需求相对稳定，预计涨幅相对平缓。业界预期，随着上游原厂酝酿提价 DRAM，多家存储器模块业者各自收到风声启动备货，预计供货给 OEM 厂的合约价可望延后一个季度跟进，即二季度起将全面反映 DRAM 涨势。

　　在上月底，据中国台湾NAND相关业者表示，NAND芯片供应商将持续强力拉抬报价，预料还要再涨四成以上，才能让大厂跨过盈亏平衡点，要能赚钱，未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。换言之，现在NAND芯片价格扬升只是涨价首部曲，下一波涨势好戏在后头，短期内将再迎来一波高达50%的「涨价」。

　　业界指出，由于NAND芯片利润比DRAM低，国际大厂都积极缩减NAND芯片产量，以三星为例，自去年9月起将NAND芯片减产幅度扩大到总产能50%，集中128层堆栈以下产品，目的是加速去库存与稳定价格，甚至准备在2024年中前逐步提高报价，计划每季涨价20%。

　　由于先前NAND芯片价格下跌太多，尽管合约价季涨幅看来不小，但距离芯片厂达到转盈还有一段距离，预期价格至上还要再涨四成，才能让供货商跨过损平基准点，因此，未来几季价格会相当强势

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