据韩媒报道，英伟达已取消其第一代 SOCAMM（系统级芯片附加内存模块）的推广，并将开发重点转向名为SOCAMM2 的新版本。

　　据知情人士透露，英伟达最初计划在年内推出SOCAMM 1，在准备将强调低功耗的SOCAMM 1 应用于 AI 服务器时，发现了技术问题，项目两次搁置，并未能下达任何实际的大规模订单。现在开发重点已经转移到SOCAMM 2，英伟达已开始与三星电子、SK 海力士和美光合作对 SOCAMM 2进行样品测试。

　　SOCAMM被定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存，其优势与HBM类似，但成本更低。通过将LPDRAM与压缩连接内存模块 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比传统的DDR5 RDIMM 配置更节省空间，且功耗低三分之一。

　　业界认为，英伟达此举对三星、SK海力士将是新的机遇。因为SOCAMM1阶段，美光率先完成质量评估，目前SOCAMM2则让三大内存厂重新回到同一起跑线。

　　考虑到质量评估周期，SOCPG电子网站AMM 2预计将于明年初开始量产。由于该模块可根据需要选择性地扩展内存，预计其采用率将逐步提升。

　　7月曾有报道称，英伟达计划今年为其AI产品部署 60~80 万个 SOCAMM 内存模块，这表明英伟达认真考虑过大规模部署SOCAMM。目前尚不清楚这些计划是暂停了，还是只是在逐步推进。

　　据韩国科学技术信息通信部最新数据显示，8月份韩国信息通信技术出口额达228.7亿美元，比去年同期增长11.1%。

　　尽管受美国关税政策影响，8月韩国半导体出口额仍创下151.1亿美元的历史新高，超过6月份创下的149.8亿美元的月度纪录，同比增长27%。存储器价格上涨以及AI服务器等基础设施投资的增加，推动了半导体市场的发展。

　　日本经济产业省日前宣布，将在截至2029年度为止的5年期间，对美光广岛工厂的设备投资、研发最高补贴5,360亿日圆（约合36亿美元），协助广岛工厂量产用于AI、自动驾驶等用途的最先进DRAM产品。

　　2024年，美光宣布斥资1.5万亿日元扩建广岛工厂，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货、2030年3-5月以最大产能进行生产。日本政府将为此提供1/3 的补贴，对应5000亿日元；另外的360 亿日元资金则用于支持美光研发高性能存储器。

　　美光获得上述补助需达成的条件包括：开始量产后、须持续生产10年以上；因各种因素导致供需紧绷时、将因应日本政府要求进行增产。

　　日本经产省已分别在2022年、2023年对美光广岛工厂补助465亿日圆、1,920亿日圆，而随着此次的追加补助、对广岛工厂的补贴额将扩大至7,745亿日圆。

　　据业内消息透露，英伟达正考虑率先采用台积电新一代A16制程节点，该技术将首次引入背面供电（BSPDN）架构。

　　据悉，A16采用台积电创新的“超级电轨”（Super Power Rail, SPR）供电解决方案，可在维持与传统正面供电方案相同栅极密度、布局尺寸和组件调节灵活性的同时，有效释放晶圆正面布线资源，并显著改善电源压降性能。

　　与台积电第二代N2P制程相比，A16在相同电压下频率提升8%~10%，在相同性能下功耗降低15%~20%，同时芯片密度还可增加10%，实现了性能、功耗和面积（PPA）的全面进步，尤其适用于高性能计算（HPC）芯片。

　　据台媒报道，广达执行副总暨云达总经理杨麒令表示，由于AI服务器畅旺、订单多到想象不到，因此持续扩充美国加州与田纳西州两厂的产能。此外，为降低风险，广达还将进行分散式投资，着手布局墨西哥产能，预计明年初上线投产。

　　展望明年第一季，杨麒令认为，按目前客户反馈情况来看，整体发展依旧乐观，AI相关需求相当正面。