超高带宽 DRAM 模块技术 HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器) 的移动设备版本——移动 HBM (Mobile HBM)，近期在科技媒体中引起关注。多家来自韩国和美国的媒体在 2025 年 5 月之后相继报道称，2027 年款的旗舰智能手机将采用这种技术（尚未得到确认）。

　　那么，移动 HBM 模块与传统的 HBM 模块有什么不同？本文将先对原本的 HBM 模块进行简要说明，再揭示所谓“移动 HBM”的真相。

　　HBM 模块的主要用途是作为 AI/机器学习用 GPU、TPU 等超高性能处理器的外部存储器。处理器与多个 HBM 模块（通常为 4/6/8/12 个）被紧密集成在同一个硅中介层（Interposer）上，并封装在一个 BGA 封装内。这样，处理器与 HBM 模块之间的数据传输速度极快，与其他 DRAM 模块相比，可显著提升机器学习的训练和推理性能。

　　HBM 采用 3D 堆叠结构：底层为逻辑芯片 Base Die，其上堆叠多个 DRAM Core Die，并通过 TSV (硅通孔) 铜柱电极与中介层及芯片间连接。

　　堆叠的 DRAM 芯片数通常为 8/12/16 片，以此扩展容量。例如单片容量为 16Gb (2GB)，12 层堆叠则为 24GB，若同一中介层上搭载 8 个模块，总容量可达 192GB。

　　HBM 模块体积庞大、速度极高、成本极贵，而且功耗极大，因此并不适合直接应用在移动设备上。

　　尽管如此，“移动 HBM 将被开发并用于手机”的消息仍然出现在部分媒体报道中。追溯来源，实际上是韩国科技媒体 ETnews 于 2025 年 5 月 14 日在一篇关于 iPhone 20 周年纪念机型（即 2027 款） 的推测文章中，提到该机型可能采用 “Mobile HBM” 或LLW (Low Latency Wide I/O) DRAM。之后，其他媒体的报道几乎都直接或间接引用了 ETnews，其中甚至有媒体几乎是照搬并翻译。

　　ETnews 报道中的这一表述，引发了外界的误解和混淆。人们很自然会把“Mobile HBM”理解为“低功耗版 HBM”，但事实并非如此。

　　实际上，VFO 与 VCS 都是 小型化、薄型化的 3D 封装技术。它们与传统的 FPBGA（细间距球栅阵列封装） 类似，但采用垂直铜柱电极 + RDL（再布线层）基板，从而缩短连线距离、降低厚度并提高传输速度。

　　然而，这些技术本质上与 HBM 完全不同。三星与海力士本身也没有使用 “Mobile HBM” 这一称呼，而 JEDEC 作为内存标准组织，也从未定义过“Mobile HBM”。

　　因此，所谓移动 HBM，更可PG电子网站能是 ETnews 的造词，被其他媒体借用以吸引眼球。它在技术上并不成立，容易引发误解，应避免将相关 DRAM 技术或封装技术称为“Mobile HBM”。

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