今年初，长鑫存储切换到DDR5/LPDDR5内存芯片，赶上了时代发展的步伐。近期，长鑫存储开始减少DDR4的出货量，逐步将重心转移到DDR5，打算升级工艺并增加产量。
据Digitimes报道，长鑫存储的计划似乎遇到了一些麻烦，由于使用相对较旧的工艺技术来生产DDR5，无论生产出来的颗粒质量，还是良品率还没有达到令人满意的水平，有可能不得不推迟大规模生产的时间，延后至2025年末。
长鑫存储应该是采用了其第四代DRAM节点工艺技术来制造DDR5，从而使得面积比三星同类芯片大了40%，与三星2021年初的水平相当，这意味着制造成本要更高，难以降低成本，难以实现大规模生产。
然而，成本不是长鑫存PG电子官网储面临的唯一问题，早期测试发现这些DDR5内存模块在相对高温或者低温环境里出现稳定性问题，导致长鑫存储不得不改变其DDR5芯片的设计，以提升可靠性。
原来有业内人士预计，长鑫存储在2025年5月或者6月开始大批量生产DDR5，可是已经到7月了，仍然没有实现大规模出货。虽然技术上的一些问题已经解决，但是良品率方面仍徘徊在50%左右，要实现真正意义上的量产是不足够的。长鑫存储还需要更多经验，以继续改进生产。
今天，无线充电联盟（WPC）正式发布了Qi2 25W无线充电标准，这一标准将无线W标准，功率提高了近 70%。无线充电联盟承诺，除苹果iPhone外，主要的安卓智能手机也将首次加入Qi2 生态系统。
上周，已有14款设备（包括接收器和发射器）完成了Qi2 25W认证测试，目前还有数百款设备排队等待全面认证测试。这些设备中，大部分可能是充电器、充电宝等配件，但安卓手机对该新标准的支持情况也备受关注，尤其它们是否会像iPhone一样内置磁铁，还是继续采用无磁铁设计，尚不确定。
此次Qi2 25W无线充电标准的推出，标志着无线充电技术迈入了一个新的阶段，将带来更高效、更便捷的充电体验。
据最新消息显示，RTX 3050入门显卡即将迎来第五款产品——GeForce RTX 3050 A。从最新的GPU-Z更新来看，其已经支持了这款未发布的GeForce RTX 3050 A显卡，但不确定是移动版还是桌面版。
这款显卡最早被发现是在去年的PCI ID数据库中，当时被称为GeForce RTX 3050 A Laptop GPU，NVIDIA后来确认了其存在，并透露这款显卡采用了更新的AD106（Ada Lovelace）芯片，而不是原版的GA107（Ampere）芯片。
目前，GeForce RTX 3050系列已经有四个版本，包括2022年推出的4GB（GA107）和8GB（GA106）版本，同年稍晚又推出了8GB（GA107），随后在2024年又推出了6GB版本。如果RTX 3050 A最终发布，它将成为该系列的第五款产品。
目前新版本显卡的发布日期尚不确定，也不清楚这款显卡是否会以零售形式上市。
据国内媒体最新消息称，截至2025年W26（2025年上半年），华为Pura 70系列累计总销量已突破1300万台大关，达到约1315.9万台（Sell out数据）。
报道中还提到，整个机型中标准版Pura 70销量最高，约为566.4万台，占总销量的43%；Pro版约为417.1万台，Pro+版约为201.5万台，而Ultra版约为130.8万台。
华为Pura 70系列自2024年4月发布以来，市场表现持续强劲，多家机构证实，其出货量在2025年6月已超过1300万台。按照调研机构的说法，华为Pura 70系列成为苹果iPhone的主要竞争对手。郭明錤更预测其生命周期销量可能达1300万-1500万台。
据数码博主i冰宇宙的爆料，高通骁龙8 Elite 2有高频版本，CPU主频达到了4.74GHz，由三星Galaxy S26系列首发搭载。
据悉，高通骁龙8 Elite的鸡血版主频为4.47GHz，由Galaxy S25系列首发搭载，骁龙8 Elite 2鸡血版主频再度刷新行业纪录，比上代芯片提升了0.27GHz。这颗芯片仍然由台积电代工，采用台积电第三代3nm制程N3P，配备全新一代Oryon CPU，并集成Adreno 840 GPU，这是安卓阵营内频率最高、性能最强悍的手机芯片。
按照惯例，这颗鸡血版芯片将会被命名为骁龙8 Elite 2 for Galaxy，搭载鸡血版处理器的Galaxy S26系列预计会在明年上半年登场。
在Galaxy S26系列上市后，安卓其它品牌也将会搭载这颗鸡血版芯片，预计高通会将其命名为骁龙8 Elite 2领先版。
随着生成式AI、高效能运算（HPC）和数据中心对内存频率与效率需求的快速提升，新一代内存标准DDR6正朝着量产普及迈进。据报道，业界预估DDR6将于2027年进入大规模普及期。
目前，三星、美光与SK海力士等全球三大DRAM原厂，已率先启动开发计划，聚焦于DDR6芯片、控制器与封装模组的技术突破与产品布局。
根据JEDEC的推进时间表，DDR6主规范已于2024年底完成草案，LPDDR6草案也于2025年第二季对外发布，预计2026年将进入平台测试与验证阶段。
业界分析，DDR6在效能与架构方面皆实现重大突破，起始速率达8800MT/s，产品生命周期内最高可达17600 MT/s，超频模块最终可能达到 21000MT/s的速度，整体效能较DDR5提升约2至3倍。
架构方面，DDR6采用4×24-bit通道设计，相较DDR5的2×32-bit，在平行处理效率、数据流通与频率使用上更具优势，也对模组I/O设计提出更高要求。
与此同时，由JEDEC标准化的CAMM2，正成为DDR6时代的主流解决方案，CAMM2结合高频宽、高密度、低阻抗与薄型化设计，成功解决DDR5中288引脚DIMM插槽限制。
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