DDR4价格呈现强劲涨势，其中16GB模块表现突出，2Gx8与1Gx16等配置产品单月涨幅达11%至14%，为2024年末价格停滞以来最大单月升幅。

　　7月11日，供应链消息显示，SK海力士已将DDR4/LPDDR4x合约价格上调约20%，标志着新一轮涨价趋势形成。

　　过去半年，以DDR4为代表的DRAM价格实现倍增，这一变化由市场需求回升与供应端策略调整共同驱动，将显著影响下游电子产品成本结构。

　　值得注意的是，美光6月初发布DDR4产品进入EOL阶段的通知后，市场囤货情绪升温，推动价格短时间内大幅上涨：

　　短短数个交易日内，DDR4价格涨幅接近20%，甚至高于更高规格的DDR5报价，出现[价格倒挂]现象。

　　目前，DDR4内存定价体系混乱，部分报价涨幅高达100%，现货价格不仅突破制造商盈亏平衡点，更进入显著盈利区间。

　　专注DDR4领域的中国台湾厂商南亚科技与华邦电子盈利预期大幅提升，其中南亚科技DDR3与DDR4产品占总营收80%，近期甚至罕见扩充旧世代DDR4产能，打破行业向新规格迁移的惯例，凸显其对DDR4市场潜力的看好。

　　DDR34GB产品已临近生命周期尾声，最早或于今夏面临供应短缺风险，但受较高库存及终端向DDR4迁移影响，价格涨幅温和，维持在4%至5%区间。

　　相较之下，DDR5虽为更高规格产品，但因DDR4短期供应锐减，价格一度被反超。

　　不过，随着行业向DDR5与HBM倾斜，其长期增长趋势明确。三星5月初与客户敲定的方案中，DDR5价格调涨约5%，反映出市场对其需求的稳步增长。

　　本轮DRAM涨价始于2025年二季度，部分DDR4型号单月涨幅逼近50%，涨势延续至今，波动幅度创八年来新高。

　　AI技术爆发推动HBM及服务器DDR5需求激增，三星、SK海力士、长鑫存储等原厂将DDR4产能转投高端产品，导致DDR4供应骤减，且多家原厂明确最迟2026年上半年停止DDR4供货。

　　此外，中美贸易战90天休战期内，美国3C数码产品订单暴增，DDR4需求激增与供应短缺形成共振。

　　而DDR4与DDR5的[价格倒挂]现象，实属行业异常，反映出供需失衡的极端程度，预计将持续三至五个月，直至市场完成向DDR5的升级。

　　2025年DRAM市场规模预计达907亿美元，同比增长13%。年初至今，DRAM市场综合价格指数累计上涨47.7%，其中6月环比上涨19.5%。

　　因DDR4产能优先满足服务器需求，消费级供应有限且订单规模小、买方议价能力弱，第三季度消费级DDR4价格预计季度环比增长40%至45%。

　　具体来看，PC用DDR4价格将上涨38%至43%，服务器用DDR4涨幅为28%至33%；面临供应缺口与补货需求的LPDDR4X，预计涨幅23%至28%。

　　DDR4合约价涨势至少将延续至2025年三季度，不排除原厂因生产经济性提升而放缓减产幅度，但目前尚无确切决策信息。

　　HBM在整体DRAM市场的占比稳步提升，从2025年第二季度的9%升至第三季度的10%。

　　美光近日宣布向核心客户交付12层堆叠36GBHBM4样品，计划2026年量产以支持下一代AI平台需求，其HBM市场份额预计2025年下半年达20%至25%，与自身DRAM市场份额相当。

　　三星计划于2025年6月完成DDR4芯片最终订单接收，同年12月中旬完成模块出货；

　　美光则于2025年6月初通知客户DDR4进入EOL阶段，2026年第一季度陆续停止出货。

　　此外，美光生产线纳米制程时，其台湾厂房产线清空后设备需迁回美国，转换期间将形成供给空窗期。

　　DDR4EOL行动涵盖消费电子、移动设备、PC及数据中心等主力应用领域，仅少数车用与工控规格产品持续生产，前四大供应商同步大幅减产，预计DDR4供不应求态势将持续至2026年。

　　Counterpoint预测，其本年度DRAM出货量同比增长50%，市场份额将从6%提升至8%，引发行业广泛关注。

　　2025年大幅提升1a/1b纳米制程产能，逐步淘汰1y及1z纳米技术的DRAM芯片模块，这一战略已迅速引发现货市场价格波动。

　　尽管其他厂商仍在供应旧制程产品，但行业长期趋势明确：领导者正将资源集中于

　　OEM厂商将新款笔记本电脑升级至DDR5规格，而DDR4因性价比优势在特定领域需求强劲，推动市场询单量激增，交易活跃度显著提升，部分分销商已提前备货以稳定库存。

　　SK海力士与三星已实现D1a及D1b单元设计产品商业化，涵盖DDR5、LPDDR4X等系列，单元设计尺寸达12纳米级最小规格，且在EUV光刻技术领域领先。

　　1α与1β制程中延续ArF及ArFi图形化技术，计划在1γ制程引入EUV。其

　　1γ制程的DDR5实现9200兆次传输/秒的数据传输速率，较前代提升15%，功耗降PG电子平台低20%以上。

　　AI与数据中心应用意义重大，且计划于2025年第二季度向特定合作伙伴提供基于1γ制程的LPDDR5X16Gb产品样品。

　　2025年初各大制造商将实现D1c制程DRAM量产；2026至2027年，终极10纳米级DRAM器件（D1d或D1δ节点）将问世；

　　2030年，DRAM技术将推进至个位数纳米节点（0a、0b、0c系列）。

　　三大原厂主导的DDR4EOL行动，标志着产业技术世代全面演进，DDR5与HBM正式成为市场主流。

　　AI服务器需求增长及季节性消费趋势共同作用下，DRAM价格仍将维持高位，行业格局的重塑正深刻影响上下游产业链。

　　资料参考：满天芯：《SK海力士：芯片涨价20%》，半导体行业观察：《DRAM，生变》，半导体产业纵横：《DRAM芯片，[甜蜜点]已至》，泰信电子：《DRAM价格暴涨，AI产业革命正在来临》，中国电子报：《存储芯片市场新一轮涨价潮来袭》

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