PG电子(中国定制)官方网站

英特尔申请模式寄存器更新模式专利可实现针对DRAM设备的更新-PG电子官网
英特尔申请模式寄存器更新模式专利可实现针对DRAM设备的更新
栏目:行业资讯 发布时间:2025-07-18
 金融界2025年5月8日消息,国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“模式寄存器更新(MRUPD)模式”的专利,公开PG电子平台号CN119937901A,申请日期为2024年9月。  专利摘要显示,一种配置寄存器更新模式可以实现为针对DRAM(动态随机存取存储器)设备的MRUPD(模式寄存器更新)模式。在一个示例中,还可以应用MRUPD来更新RCD(寄存时钟驱动器)。在更新模式中,存

  金融界2025年5月8日消息,国家知识产权局信息显示,英特尔公司申请一项名为“模式寄存器更新(MRUPD)模式”的专利,公开PG电子平台号CN119937901A,申请日期为2024年9月。

  专利摘要显示,一种配置寄存器更新模式可以实现为针对DRAM(动态随机存取存储器)设备的MRUPD(模式寄存器更新)模式。在一个示例中,还可以应用MRUPD来更新RCD(寄存时钟驱动器)。在更新模式中,存储器设备(RCD或DRAM)可以利用带内寄存器写入来执行对任意数量的配置寄存器的配置。带内寄存器写入可以用于配置DFE(决策反馈均衡)设置,以及针对存储器设备接口的非DPG电子平台FE配置的其他配置设置。