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美光MRDIMM内存技术突破:256GB容量+40%低延迟重塑数据中心效能-PG电子官网
美光MRDIMM内存技术突破:256GB容量+40%低延迟重塑数据中心效能
栏目:行业资讯 发布时间:2025-07-05
 美光科技于2024年7月正式发布革命性的多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM),标志着数据中心内存技术进入新纪元。这款基于DDR5标准的内存解决方案,通过突破性的架构设计实现了性能与能效的双重飞跃。在技术参数方面,MRDIMM展现出惊人的256GB单条容量和40%的延迟降低,其39%的带宽提升和15%的总线效率改进,直接解决了AI训练、高性能计算等内存密集型应用的瓶颈问题。  该产品的核心

  美光科技于2024年7月正式发布革命性的多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM),标志着数据中心内存技术进入新纪元。这款基于DDR5标准的内存解决方案,通过突破性的架构设计实现了性能与能效的双重飞跃。在技术参数方面,MRDIMM展现出惊人的256GB单条容量和40%的延迟降低,其39%的带宽提升和15%的总线效率改进,直接解决了AI训练、高性能计算等内存密集型应用的瓶颈问题。

  该产品的核心竞争力体现在三个维度:首先,创新的TFF散热设计使DRAM工作温度降低20℃,配合32Gb DRAM芯片的先进制程,在保持128GB模块功耗水平的前提下实现容量翻倍;其次,与英特尔至强6处理器的原生兼容性,确保用户无需改造现有基础设施即可获得35%的性能跃升;最后,从32GB到256GB的完整产品矩阵,为不同规模的数据中心提供精准的TCO优化方案。联想等合作伙伴证实,MRDIMM能有效弥合多核处理器与内存带宽之间的性能鸿沟,特别在AI推理和再训练场景中表现突出。

  市场布局方面,美光已启动MRDIMM样品供应,并计划在2024年下半年实现量产。值得关注的是,该技术路线图显示后续产品将进一步提升45%的单通道带宽,持续巩固其在服PG电子平台务器内存领域的技术领先地位。这项创新不仅重新定义了内存性能标准,更将PG电子平台为全球数据中心的基础设施升级注入新动能。