表5：2022年底-2023年，大厂明显减少资本支出，开启减产计划 17

　　存储芯片市场：半导体产业的重要分支。存储芯片，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是集成电路产业的重要分支，2022年全球销售额为1297.7亿美元，约占集成电路全年销售额的27.4%。常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等，主要应用在消费电子、信息通信、汽车电子等多个领域。

　　存储芯片：大致分为易失性存储器和非易失性存储器。依据功能和数据存储的原理，存储芯片可大致分为易失性存储器和非易失存储器两类。易失性存储芯片在

　　所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片在所在电路断电后，仍能保有数据，代表性产品为NANDFLASH和NORFLASH。

　　DRAM：易失性存储器的主流产品。易失性存储器（RAM）通常是作为操作系统或其它程序的临时存储介质，主要分为DRAM（动态随机存取内存）和SRAM

　　（静态随机存取存储器）两类产品，其中DRAM是绝对主流，SRAM虽然读写速度较快，但因为集成度较低，价格相对昂贵，因此多用于CPU的一、二级缓存。

　　NANDFLASH：非易失性存储器的主流选择。FLASHmemory（快闪存储器）是非易失性存储器（ROM）的主流产品，在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要应用在固态硬盘以及主板BIOS中。根据硬件上存储原理的不同，FLASH主要可以分为NORFlash和NANDFLASH两类。相比之下，NANDFLASH写入与擦除的速度更快，在大容量下成本较低，体积也更小，为当前主流选择。

　　产品占比：DRAM和NAND占全球存储芯片市场96%。据Yole数据统计，在2021年全球存储芯片市场中，DRAM和NANDFLASH分别占据56%和40%的市场份额，两者合计占比约为96%，是存储市场的最主要构成。市场占比排名第三的产

　　产业模式：IDM模式为主，后端环节辅助产品落地。与逻辑芯片产业不同，存储芯片产业由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在主控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。

　　存储原厂：面向主流市场头部客户，专注创新设计与制程提升。存储原厂主要指采取IDM经营模式进行存储晶圆设计与制造的企业，主要包括三星电子、美光科技、SK海力士等。该类厂商的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗需求的客户

　　（如智能手机、PC及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器等）以及主流应用市场中小客户的需求。

　　存储模组厂：面向细分赛道，满足多样的客制化需求。为满足下游细分行业客户存在的客制化需求，存储模组厂通过晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计等环节，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了存储器的应用场景，提升了产品在各类场景中的适用性，是产业链承上启下的重要环节。领先的模组厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。

　　闪存（NANDFlash）模组分类：主要分为固态硬盘、嵌入式存储和移动存储。

　　固态硬盘（SSD）：是按照JEDEC有关接口标准制造的NANDFlash存储器，一般应用于大容量存储场景；

　　嵌入式存储：通常指固定内嵌于电子产品主系统内、具有嵌入式接口的半导体存储器，主要应用于电子移动终端低功耗场景；

　　移动存储：指USB闪存盘（“U盘”）、存储卡及便携式移动固态硬盘等便携式移动存储器，主要应用于安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领域。

　　图5：闪存模组主要分为固态硬盘、嵌入式和移动存储 图6：嵌入式存储和SSD占据闪存模组市场主要份额

　　闪存模组构成：主要由主控芯片、NANDFlash颗粒和DRAM颗粒构成。

　　主控芯片：一方面合理调配数据在各个闪存颗粒的负荷，另一方面承担整体数据中转，连接闪存芯片和外部SATA接口。此外，主控还负责纠错、耗损平衡、坏块映射、读写缓存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。

　　NANDFlash颗粒：起数据存储与读写作用，按照密度差异可以分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，从前至后读写速度、存储稳定性、使用寿命依次递减，存储密度、价格性价比依次递增。

　　DRAM颗粒（主要存在于中高端SSD）：可提高输入/输出性能和耐用性，用于临时保PG电子网站存从闪存读取的数据、要写入闪存的数据或地址映射表。目前，中低端的SSD为节省成本选择不配备DRAM颗粒，采用HMB（HostMemoryBuffer，主

　　SSD市场：市场增速可观，自主开发空间广阔。Yole数据，全球SSD市场规模预计将从2022年的290亿美元增长到2028年的670亿美元，CAGR（2022-2028）约为15%，增速可观；出货量方面，SSD则有望从2022年的3.52亿台，增长至2028年的4.72亿台，CAGR（2022-2028）约为5%。市场份额方面，按2021年出货量测算，市场前五大品牌分别是三星（25%）、西部数据（16%）、铠侠

　　（15%）、SK海力士（13%）和金士顿（9%），CR5达78%，海外大厂占据主要份额，自主开发空间广阔。

　　资料来源：Yole、半导体产业纵横 数据来源：Yole、半导体行业观察、研究所

　　UDIMM：UnbufferedDIMM（无缓冲双列直插内存模组），是最常见的内存类型。UDIMM内存不使用缓冲，因此具有较低的延迟和更高的内存带宽，一般用于低端服务器和桌面计算机。

　　RDIMM：RegisteredDIMM（寄存式双列直插内存模组）可以在大内存容量环境下提供更好的稳定性。与UDIMM不同，RDIMM使用内置缓冲处理信号传输，这可以减少电信号反弹和延迟，一般用于服务器。

　　LRDIMM：LoadReducedDIMM（减载双列直插内存模组）使用缓冲器减少信号传输的工作负载，可以允许更多的存储单元和更低的时钟速率，一般用于服务器。

　　SODIMM：SmallOutlineDIMM（小型双列直插内存模组）的体积更小，大约是常规DIMM的一半，一般用于笔记本电脑。

　　SPDHub（串行检测集线器）：用于存储内存模组的相关信息和参数配置，管理对外部控制器的访问，并将内部总线的内存负载与外部分离。

　　PMIC（电源管理芯片）：起电源转化和管理的作用，为其他芯片提供电源支持。DDR5内存条将PMIC集成在内存模组上（前几代将PMIC放在主板端），从而降低主板的复杂性，带来更高的兼容性和信号完整度，并减少噪音。此外在服务器（企业级）内存条上还需要增加内存接口芯片（RCD寄存时钟驱动器+DB数据缓冲器）、TS（温度传感器，DDR5新增）。

　　接口芯片（RCD+DB）：RCD用来缓冲来自内存控制器的地址、命令及控制信号，DB用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配CPU日益提高的运行速度及性能。

　　TS（温度传感器）：对内存条温度监控，从而更精细地控制系统散热。图10：内存模组主要由DRAM颗粒、SPDHub、PMIC等部分构成

　　内存模组市场：出货量有望稳健增长，DDR5为主要发展方向。据Yole数据显示，DRAM模组全球出货量有望从2022年的5.1亿条增长至2028年的6.5亿条，CAGR（2022-2028）有望达4%，增长稳健，主要受服务器板块的成长带动；在DDR世代中，DDR5是未来最被看好的方向，至2028年市场规模有望增长至40亿美元，CAGR（2022-2028）约为28%，出货量则有望从2022年的0.11亿条增长至

　　内存模组格局：金士顿为模组厂龙头，国内厂商迅速崛起。目前原厂仍然占据内存模组市场主导地位，模组厂主要面向OEM、超大规模生产商和渠道分销商等下游客户，约占领10%左右份额。在第三方模组厂中，金士顿的市场份额份额排名第一，占比约78.1%，为该领域的绝对龙头。近年来，随着国内厂商在技术、产品上的持续攻坚突围，从存储颗粒、主控芯片到模组产品、封装测试等不同层面的国产化推进不断深入。尤其是模组厂商，产品不断向高端市场拓展，市场份额持续扩大。据TrendForce统计，中国大陆在2022年全球DRAM模组TOP10厂商中占据三席，分别是排名第二的记忆科技、第四的嘉合劲威以及第五的金泰克。

　　图12：DRAM模组市场份额主要被原厂占领 图13：金士顿为第三方模组厂商龙头企业（2022年）

　　存储市场下游三大应用领域：智能手机、服务器和PC。从下游来看，DRAM和NAND应用领域大致相同，主要面向消费电子市场。据华经产业研究院，智能手机、服务器和PC是DRAM下游三大应用领域，占比分别为39%、34%和13%；NAND方面，据Yole数据显示，前三大应用领域依次是服务器、PC和智能手机，占比分别为30%、26%和24%。

　　服务器：2024年全球出货量有望实现反弹，YoY+2%。TrendForce预计，2024年服务器出货动能仍以美系CSP（CloudServiceProvider，云端服务业者）为主，但受限于通货膨胀高，企业融资成本居高不下，压缩资本支出，整体需求尚未恢复至疫情前成长幅度，预估2024年全球服务器整机出货量约1365.4万台，年增约2.05%。同时，市场聚焦部署AI服务器，AI服务器出货占比约12.1%。除已知的AI服务器订单需求畅旺外，近期更受惠于招标项目所驱动，以及AI所牵引的储存服务器(storageserver)需求助力，推升第二季出货表现，动能将延续至第三季，预估第三季增长约4-5%。

　　手机：2024年智能手机出货量有望迎来反弹，单机搭载容量有望持续增长。数据显示，全球智能手机市场自2022年以来持续低迷，出货量连续多季承压，但该趋势于2023Q3起出现扭转：2023Q3-2024Q1全球单季度智能手机出货连续三季同比实现增长，为2021年以来首次。展望2024全年，TechInsights无线智能手机战略高级总监表示，全球市场预计将实现温和反弹，出货量年增长率预计将达3%。单机搭载容量方面，TrendForce预测，2023年连续数个季度存储器价格的下滑，开启了品牌在硬件上的竞赛，2024年单机搭载容量有望成长7.9%。

　　据TechInsight预测，全球笔电市场将于2024年迎来反弹，出货量同比增长11%。2025年，在ow系统升级周期等因素推动下，全球笔记本电脑出货量有望达到约2.4亿台，同比增长11%的新高度。搭载容量方面，搭载Intel新CPU

　　MeteorLake的机种目前处于生产爬坡阶段，预计在2024年内实现量产，由于该平台仅支持DDR5与LPDDR5，这将加速DDR5超越DDR4成为市场主流，促进PC

　　平均搭载容量持续提升。集邦咨询预测，2024年PCDRAM平均搭载容量年成长

　　AI服务器：AI模型日渐复杂，出货量+搭载容量有望双增。TrendForce预计至2026年AI服务器出货量有望达22.5万台，CAGR（2022-2026）有望达11.6%，增速可观。未来随着AI服务器出货量的持续增长，存储器需求有望高增。以现阶段而言，ServerDRAM普遍配置约为500~600GB左右，而AI服务器在单条模组上则多采64~128GB，平均容量可达1.2~1.7TB，且该容量未来有望持续增长，达到2.2~2.7TB，按中值计算的增长率达68.97%。EnterpriseSSD方面，未来AI服务器所需的平均容量有望实现翻倍，增长至8TB左右。HBM用量方面，而相较于一般服务器而言，AI服务器增加了GPGPU的使用，以配置4或8张NVIDIAA10080GB计算，HBM用量将达到320~640GB。未来在AI模型逐渐复杂化的趋势下，将刺激产生更多的存储器用量，并同步带动ServerDRAM、SSD以及HBM的

　　AI手机：AI手机元年已至，出货量有望高速提升。Counterpoint表示2024年是生成式AI智能手机元年，2024全年出货量将达到1亿部以上。到2027年，预计生成式AI智能手机出货量将达到5.2亿部，占据40%的市场份额，出货量CAGR（2023-2027）有望达83%。容量方面，芯智讯表示，支持终端侧AI大模型功能的智能手机将需要比以前更大容量的内存。即便采用先进的内存压缩技术，要流程的运行130亿参数的AI大模型，智能手机也需要至少16GB的内存容量，如要

　　运行更大规模的330亿参数的AI大模型，内存容量就需要进一步提升到20GB以上。随着出货量与搭载容量的持续提升，AI手机有望成为存储芯片市场的重要增量。

　　AIPC：AIPC渗透率有望提升，内存市场有望充分受益。IDC预测，2024年AIPC快速登陆市场后，随着应用场景的不断拓宽，AIPC将拉动PC市场进入新一轮增长，AIPC在中国新机中的装配比例将在未来几年中快速攀升，占比有望从2023年的8.1%提升至2027年的84.6%，迅速普及。据微软数据显示，新的owsPC将需要至少40TOPS的算力，才能达到AIPC的门槛。此外，因为AI加速对内存高度敏感，而LLM需要大量、快速且频繁地访问内存，对内存容量的要求很高。微软目前已将16GB设定为最低的容量标准，不仅用于本机加速，还用于基于云端的CopilotAI功能。预计2024年的PC将以16GB为基本内存规格，

　　商用PC要求可能会提高至32GB甚至64GB，内存市场有望充分受益。图21：2027年AIPC渗透率有望提升至84.6%

　　智能汽车：汽车智能化大势所趋，带动存储市场高速增长。近年来，自动驾驶技术正逐渐兴起，L2辅助驾驶功能已成为当下智能汽车的主流配置，未来将向L4、L5逐步迈进，而存储芯片作为数据存储的核心设备，将迎来良好发展机会。以NANDFlash为例，其主要用于ADAS系统、IVI系统（In-VehicleInfotainment，车载信息娱乐系统）、汽车中控等，主要作用在于存储连续数据。随着自动驾驶等级提升，ADAS系统中NAND容量需求增长显著，L1/L2级ADAS一般只需主流的8GBe-MMC，L3级则提升至128/256GB，L5级最高可能超过2TB。未来，高级自动驾驶汽车的数据生产、传输和记录将需要非常大的密度和高速性，可能进一步采用PCIeSSD。市场规模方面，Yole预测，全球汽车存储整体市场规模有望从2021年的45亿美元大幅增长至2027年的125亿美元，增速可观，2021-2027年CAGR有望达20%，远高于其所在行业增速。

　　图22：自动驾驶技术加速向L4/L5迈进 图23：2021-2027年汽车存储芯片市场增速远高于其所

　　存储行业集中度高，供给端变化主要关注龙头厂商。存储产品标准化程度高，具有大宗商品属性，行业规模效应明显，市场份额多被龙头占据。从2024Q1行业的竞争格局来看，DRAM市场CR3达94.0%，NAND市场CR5达93.0%，供给侧市场份额高度集中。在这种情况下，观察存储市场供给情况则需重点关注几家龙头

　　资本开支变化与半导体市场增速呈现强相关性。半导体周期波动明显，各大厂商一般会在繁荣年份加大资本支出投入、扩充产能，而在萧条时期减少资本开支、缩减产能，改善供需结构。据Gartner、ICinsight和WSTS数据显示，资本开支增速与半导体市场的变化具有很强的相关性。当资本开支显著上升时，行业往往即将进入下行周期；而当资本开支同比下滑时，行业往往临近周期反转。因此，我们认为资本开支在一定程度上能够反应供给侧产能的未来走势，可以作为重点指标来预

　　不同于2020年、2021年的“高光时刻”，存储行业从2022年年初开始步入下行周期，消费电子等需求疲软引发了客户砍单、存储芯片库存过剩、价格下跌一系列连锁反应。深究其背后原因可大致归结为三：（1）消费电子需求骤降；（2）存储踏浪新兴产业厂商在市况大好时囤货致使库存积压；（3）存储厂商在缺芯时大幅扩产，后续导致供大于求。为防止产品价格过度下跌，各大原厂在2022年底至

　　2023年底期间纷纷启动减产计划，降低2023年资本开支，行业供给端出现明显收缩，尤其是产能占比较大的成熟制程产品。

　　美光 2022年9月 下调2023财年资本支出超30%，晶圆设备支出大砍50%

　　2023年6月美光将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年

　　原定于2023年完工并稼动的北上的K2NAND工厂延期，铠侠：根据市况决定启用新厂的时间

　　已经在2022Q4减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能，并决定削减2023年资本支出50%以上，并

　　2023年7月:由于NAND库存去化速度与DRAM相较缓慢，SK海力士决定进一步扩大NAND减产规模

　　西部数据 2023年1月 2023年1月起，NAND晶圆产量降低30%，并下调2023财年总资本支出至23亿美元，此前预期为

　　2023年7月:继续维持下调产能，选择性的对某些DRAM和NAND产品进行额外的生产调整，尤其计划对NAND侧进行较大的调整。

　　随着原厂集体加大减产力度并收缩供应，2023H2市场预期和信心逐渐回暖，备货节奏加快，景气度明显回升，产品价格迅速走出底部。叠加2023Q4以来，手机及PC需求转佳，AI系列产品陆续上市，带动对存储需求上升，库存逐渐去化。为扩大市占率，三大原厂于2024年初集体调升稼动率，且将资本支出和产出聚焦于利润较佳产品如高频宽存储（HBM）和DDR5，加注AI浪潮发展与行业复苏。

　　复盘与展望：产品价格触底反弹，新一轮景气周期渐行渐盛。复盘本轮周期产品价格走势，2022年底以来随着原厂供给端明显收缩，以及下游需求逐步回暖，存储市场的供需结构自2023H2以来正稳步改善。根据闪存市场指数显示，DRAM/NAND价格指数于2023年中跌至谷底，而后复苏态势明显，反弹力度可观。2024Q2开始进入需求淡季，指数开始小幅下降，等待低价库存消耗结束以及第3季传统需求回暖，存储行情有望在下半重回成长轨道。未来展望方面，TrendForce预计，DRAM/NAND价格有望继续上涨，Q2、Q3季涨幅中值有望分别达15.5%/10.5%和17.5%/7.5%，反弹趋势有望全年延续。

　　/5.5%，幅度可观，其中ServerDRAM涨势最佳，主要受惠于旺季备货需求。

　　市场动态表8：SevweDRAM买方购货需求旺盛，预计2024Q3涨势最佳

　　第三季考量通用型服务器需求复苏，加上供应商的HBM生产比重进一步拉高，预估PCDRAM价格将延续涨势，均价涨幅季增3-8%，涨幅低于ServerDRAM，并较第二季涨幅收缩，主要因为PCDRAM库存偏高，消费性需求亦未有显著改善。

　　第三季通用型服务器受惠于旺季备货需求，TrendForce集邦咨询预测，这将使得DDR5ServerDRAM合约价涨幅上修至8-13%区间。由于DDR4买方平均库存仍高，因此拉货动能集中在DDR5，使得涨势较DDR4来得高，因此综合两者的平均合约价应落在季增8-13%。

　　自2023年第四季以来，MobileDRAM的连续涨价使品牌端的营利面临较大挑战，加上目前库存充足，品牌进入第三季的议价流程放缓，议价态度被动。然而，原厂为填补先前几个季度的获利缺口，以及考量2025年供需将转为紧缺，因此维持对合约价格的拉涨态度，但受买方议价态度被动以及高库存影响，可能会压缩第三季涨幅。TrendForce集邦咨询预估，季度涨幅将落在季增3-8%，其中以LPDDR4(X)涨幅最小，不排除有再收缩的可能。

　　第三季整体GraphicsDRAM需求依旧较为平淡，价格走势主要受到其他DRAM产品的连动影响，在原厂强势进入上涨周期且涨势尚未停歇之下，使得采购端采取持续备货的策略，因此在心态上较能接受卖方提出的涨价。在供给端，因新款GPU将进入验证阶段，原厂将陆续提高GDDR7的生产，而目前GDDR7比GDDR6约有20-30%溢价，随着3Q24的样品出货将略推升平均销售价格，预估GraphicsDRAM价格将呈现季增3-8%。

　　ConsumerDRAM 整体ConsumerDRAM市场仍显得供过于求，但三大供应商涨价意图明显，加上其他供应商尚未回到获利状态，故仍有价格上涨的压力存在，预估价格仍维持小幅上涨趋势。

　　NANDFlash方面：据TrendForce数据，2024年Q3除了企业端持续投资服务器建设，尤其EnterpriseSSD受惠AI扩大采用，继续受到订单推动，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅度趋于积极，第三季NANDFlash供过于求比例(SufficiencyRatio)上升至2.3%，NANDFlash均价(BlendedPrice)涨幅收敛至季增5-10%。其中EnterpriseSSD由于AI服务器建设扩张，下游需求旺盛，涨势良好，2024Q3合约价季涨幅预计约为15-20%。

　　ClientSSD方面，即便NB销售在进入传统旺季，但客户备货意愿较保守，尤其PC终端产品未完全反应2023年以来的价格涨幅，因此，下半年采购容量未明显增长。随着供应商开始升级PCclientSSD制程至2XX层，原厂供应产能仍持续上升，但拉动价格上涨的动能并不强劲。此外，随着QLC与TLC产品价差明显，更多PC买家扩大使用QLC方案，加剧价格竞争，预料本季价格涨幅空间相对有限，PCClientSSD第三季合约价预估季增3-8%。

　　EnterpriseSSD方面，许多企业持续扩大AI服务器建设，信息设备支出明显复苏，第三季服务器OEMs订单明显回升，采购需求仍较前一季增长。不过，由于智能手机和NB的订单需求保守，NANDFlash市况转向更为平衡。除了大容量QLCEnterpriseSSD供应由二家厂商主导外，其他供应商积极争抢EnterpriseSSD订单，以加速下半年产能去化，这导致第三季EnterpriseSSD合约价格上涨幅度收敛至季增15-20%。

　　eMMC eMMC方面，第三季eMMC缺乏驱动需求的因素，但原厂持续提价态度明确，预估最终价格的涨幅甚微，合约价将呈现约略持平状态。

　　UFS方面，受到智能手机OEMs库存水位充足且去化较慢的影响，加上模组厂也开始供应UFS物料让需

　　求端选择更多，面对第三季原厂欲再大幅度涨价的情况，势必出现反弹阻力。此外，在买方手上库存充足且市场需求平淡的情况下，预估供应商有可能让步，第三季UFS合约价涨幅将落在季增3-8%。

　　DXI与美光股价走势一致，价格复苏有望带动板块景气度持续上行。DXI指数是集邦咨询创建的反映主流DRAM价格的指数。从2013年以来DXI指数与美光科技股价的走势可以看出，二者具备很高的相关性。美光作为存储行业的龙头之一，具有一定的定价权，其往往既是价格的制定者之一，也是价格变动所来周期的主要承受者。从图中我们可以发现存储产品价格和板块公司股价二者之间的走势高度相关，随着当前供需结构逐步改善带动价格的全面上涨，板块或将迎来新一轮景气周期。

　　存储模组厂商一般通过采购上游存储晶圆，将其与闪存主控芯片等部件进行封装、测试后形成存储模组，然后再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分销商从而赚取差额利润。该类商业模式能够深入参与主流存储产品产业链分工，受益于本轮行业复苏与价格反弹。

　　战略性储备低价库存，模组厂业绩增长动能充足。回顾本轮周期，数据显示，随着产品价格逐渐下滑，国内存储模组厂自2023Q1起加速战略备货、囤积低价芯片库存。基于对后续需求复苏和产品价格的乐观预期，本轮模组厂的囤货节奏连续五季度保持较高增速有，2023Q1-2024Q1五季度库存水位季均增长15.7亿元，季均同比增速15.4%，增长速率远超前几季度水平，战略性备货规模充足。未来随着行业供需格局改善带动价格的持续回暖，模组厂在本轮周期中囤积的低价库存有望转化为可观收益，业绩增长潜力可观。

　　图32：2023Q1起模组厂库存加速上涨，Q3增速最高 图33：2023Q3DRAM/NAND价格指数跌至本轮低点

　　从台厂高频月度营收数据来看：景气度持续修复，2024Q2有望淡季不淡。从中国台湾模组厂来看，随着产品价格的触底回暖，2023H2以来，威刚等多家中国

　　台湾模组厂月度营收整体呈复苏趋势。聚焦2024M6，以威刚、十铨为首的模组厂月营收均实现同比高增，威刚月营收yoy+29.4%/mom-8.5%、十铨月营收yoy+49.1%/mom+6.0%，表现亮眼，反映价格上涨、下游客户补货意愿较强。尽管Q2是消费电子传统淡季，模组厂延续强势复苏趋势，淡季不淡。

　　图34：威刚：2023H2以来月营收稳健修复 图35：十铨：2023H2以来月营收稳健修复

　　从最新季报来看：2024Q1国内模组厂营收大幅增长，战略储备成果逐渐显现。

　　2024Q1江波龙、佰维存储和德明利营收均实现大幅增长，单季度分别实现营收

　　44.5亿元（yoy+200.5%/qoq+25.6%）、17.3亿元（yoy+305.8%/qoq+17.6%）、8.1亿元（yoy+168.5%/qoq+1.4%），成长逻辑逐步兑现。江波龙表示，目前原厂供应向企业级产品倾斜，整体存储晶圆的供应依然偏紧；其次，在价格上，原厂拉涨价格的态度目前较为坚决，2024年内晶圆价格有望延续温和上涨的趋势。鉴于国内模组厂此轮战略备货充足，以及未来产品涨价预期良好，我们认为国内模组厂未来仍有充足的业绩增长潜力。

　　图36：江波龙2024Q1营收同比大幅增长 图37：佰维存储2024Q1营收同比大幅增长

　　成长空间广阔，自主开发势在必行。中国存储芯片市场规模庞大，但自给率较低，目前仍有较大的提升空间。为解决我国关键领域的数据存储安全问题，在产业政策的推动下，国内NANDFlash存储晶圆的工艺制程和堆叠层数等技术方面取得关键突破，以长江存储为代表的存储原厂正加速缩小与国际巨头的技术差距，未来有望带动整体行业发展，形成产业闭环，存储模组厂商等环节将迎来重要发展机遇。

　　上下游延伸，模组厂盈利能力有望逐步增强。除了自身业务发展，国内模组厂还持续致力于寻找产业链上下游布局良机，目前已在封测、主控芯片、存储芯片等领域取得突破进展，未来有望协同现有业务，进一步提高整体竞争力与盈利水平：

　　布局封测：提升产品开发效率，规避技术迭代风险。以佰维存储为例，公司自建封测厂，以满足自身存储芯片及模组的封测需求，并利用富余产能对外承

　　接存储器与SiP封测业务。目前子公司惠州佰维已经掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。该模式为公司在产品创新及开发效率、产能及品质保障等方面带来较强的竞争优势，同时规避了晶圆迭代的技术风险和过重的资本投入。

　　布局主控芯片：优化产品利用效率，提升盈利能力。德明利通过自主研发的闪存主控芯片及具有较强产品适配性的固件方案、调试算法等，持续更新匹配存储原厂的技术方案，优化存储颗粒利用效率，并通过将上述系统化的存储管理应用方案依托于价值量较高的存储晶圆，以模组销售的方式实现利润变现，最大化体现公司技术方案的价值，提升公司的盈利水平。截止2023年，公司自研的SD6.0存储卡主控芯片、SATASSD主控芯片已完成回片认证，未来有望不断夯实公司模

　　自研上游存储芯片：协同现有业务，提供一体化解决方案。江波龙积极投入存储芯片设计业务，目前已成功量产512Mbit-8Gbit的SLCNAND，其中，512MbSLCNAND可广泛用于安防、通讯、穿戴等市场，并在部分应用中可替代NORFlash，具有良好市场前景，已在多个领域实现了大批量交付。公司自研存储芯片业务可以与公司既有的产品线形成协同效应，增强公司向客户提供一体化存储方案的能力。

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