SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。12层HBM4兼具了AI存储器必备的最高速率，同时也实现了12层堆叠HBM的最大容量，为了满足客户的要求，SK海力士不断克服技术局限，成为了AI生态创新的领先者。

　　SK海力士表示：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”

　　在12层HBM4上，SK海力士采用了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量。该工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。SK海力士还以业界最大规模的HBM供应经验为基础，对性能进行验证，并做好量产准备工作。

　　SK海力士从2022年的HBM3开始，逐渐在HBM细分市场领跑。SK海力士在2024年陆续实现了8层和12层HBM3E产品的量产，并通过开发和供应上的精准把控，维持了面向AI的存储器市场领导力。HBM4属于第六代HBM产品，如无意外，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。

　　去年4月，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。其中台积电负责生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），采用N5和N12FFC+工PG电子平台艺。不过也有消息称，SK海力士可能改变计划，以3nm生产更先进的HBM4基础裸片。

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