NAND：2024年四季度全球NANDFlash市场规模达174.1亿美元，环比减PG电子官网少8.5%，同比增长42.4%。根据DRAMexchange，上周（20250217-0221）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.78%至1.75%，平均涨跌幅为0.29%。其中10个料号价格持平，9个料号价格上涨，3个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，因eSSD采购需求出现部分放缓，再叠加移动和PC应用市场需求的疲软，令四季度NANDFlash的ASP和bit出货量均环比减少。继三季度仅SK海力士出现环比下滑后，在四季度所有原厂的NANDFlash收入均环比发生不同程度的下滑。

　　DRAM：2024年四季度全球DRAM市场规模293.45亿美元，环比增长13.5%，同比增长66.1%。根据DRAMexchange，上周（20250217-0221）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.28%至2.36%，平均涨跌幅为-0.07%。上周7个料号呈上涨趋势，11个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，AI服务器的热络持续推动对HBM以及高容量DDR5的需求，也推动三星和SK海力士的存储收入创历史新高，然而消费类需求却也出现持续的疲软，导致传统类DRAM销售收入的下滑。整体来看，2024年四季度DRAMASP环比依然保持增长，而整体DRAMbit出货量发生环比下滑。

　　HBM：三星计划2028年推出“移动HBM”。根据科创板日报报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPWDRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPWDRAM通过堆叠LPDDRDRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。

　　市场端：存储现货行情趋稳，部分资源供应紧俏，低容量嵌入式价格跟随成本上扬。根据CFM闪存市场报道，由于部分低容量资源供应相对短缺，成本上扬驱动下令相应的嵌入式产品顺势涨价；渠道市场部分低端资源也出现涨价现象，但受制于需求疲软，渠道SSD价格难以实现跟涨；行业端个别厂商现杀价动作，市场需求无明显变化。整体来看，本周存储现货市场普遍维持平稳为主。