据Business Korea报道，三星已经开始建造新的测试产线nm级别的DRAM量产工作提前做准备，以提高良品率。过去几年里，三星逐渐PG电子平台丧失了在DRAM领域的领导地位，包括HBM在内的各种内存产品逐渐被竞争对手追赶甚至超越，此举可能是为了提升产品竞争力，重新获得市场主导权。

　　有消息人士透露，三星已经在2024年第四季度选择在其平泽P2工厂建设第七代10nm级别的DRAM生产线年第一季度完工。尽管具体产能规模尚未确定，但是以过往情况来看，一般测试产线月，三星在MemCon 2024上宣布，计划2025年量产采用第六代10nm级别（1cnm）工艺的DRAM，而采用第七代10nm级别工艺的DRAM则会在2026年量产。此前三星选择在其平泽P4工厂建设第六代10nm级别的DRAM生产线，正在为量产做最后的准备工作，希望能进一步提高良品率，目标2025年6月开始量产。有分析师认为，三星选择在两代DRAM工艺上同步发展，属于积极的投资策略。

　　竞争对手SK海力士过去两年里，乘着人工智能（AI）的东风大幅度提升了DRAM产品的竞争力，特别在HBM领域，完全主导了细分市场。

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