近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。

　　外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/s传输速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快输入和输出速度，有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。

　　首先，三重验证程式（TPGM）功能可缩小单元阈值电压分布，并将tPROG（编程时间）减少10%，转化成更高性能。

　　第四，编程虚拟串（PDS）技术可藉由降低通道电容负载缩短tPROG和tR的界线稳定时间。

　　最后，平面级读取重试（PLRR）功能，允许不终止其他平面下，更改平面的读取等级，立即发出后续读取命令，提高服务质量(QoS)，提高读取性能。

　　由于新产品还在开发，SK海力士尚未透露量产时间。尽管如此，有分析师仍预估最早2024年有变化，最迟2025年出现。

　　1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释，该公开资料，属可靠之来源搜集，但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。

　　2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。如有错漏，请以各公司官方网站公布为准。

　　3、「DRAPG电子网站MeXchange-全球半导体观察」信息服务基于现况及现有提供，网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。

　　4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权，您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料，非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定，不会主动地泄露给第三方。