甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪：2024Q2消费类NANDFlash环比大增，三星公布DDR发展路线

　　：14.2亿美元，同比大增108.7%。DRAM：颗粒价格小幅波动，三星公布DDR发展路线图。根据DRAPG电子官网Mexchange，上周（0902-0906）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.02%至-0.04%，平均涨跌幅为-0.82%。上周0个料号呈上涨趋势，18个料号呈下降PG电子官网趋势，。”

　　根据CFM闪存市场报道，三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理JungbaeLee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。

　　随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1dnmDDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。

　　展望2027年，三星电子将迈入10nm以下级DRAM制程节点，届时将发布采用0anm工艺的DDR内存产品，并且内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。

　　HBM：SK海力士利川工厂M10F转型HBM生产线.根据CFM闪存市场报道，SK海力士在其利川半导体工厂“M10F”生产第五代高带宽存储器（HBM）。

　　根据CFM闪存市场报道，今年前两季度，全球PC市场出货量增长缓慢，国内市场尤为严峻，同比下滑明显。

　　三季度国内需求持续低迷，PC存储产品供需失衡，库存缓慢消化，SSD和内存条价格小幅下调。

　　21.投资建议我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线.HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。

　　23.推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　24.风险提示中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

　　中指研究院-房地产行业：中国房地产企业资讯监测报告（2024年8月26日~2024年9月1日）