：DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。HBM：HBM4考虑采用无助焊剂键合技术。根据CFM闪存市场报道，随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM键合技术，旨在将。”

　　4.根据科创板日报报道，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NANDFlash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。

　　5.TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NANDFlash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。

　　9.根据科创板日报报道，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。

　　10.受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。

　　12.根据CFM闪存市场报道，随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM键合技术，旨在将DRAM堆叠时的间距最小化。

　　13.目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无PG电子网站助焊剂键合技术。

　　15.根据CFM闪存市场报道，近半年来，渠道和行业市场价格持续走跌，尤其是渠道市场多数SSD和内存条成品价格跌幅已逾20%。

　　16.在历经连续两个季度持续下跌行情之余，整体来看11月存储现货市场普遍维持低位震荡筑底的状态。

　　17.具体来看，行业市场近期PCOEM释放部分明年Q1备货需求，但PC终端客户普遍对后市较为悲观，价格方面要求苛刻，行业存储厂商竞价抢单下令行业内存条缓跌。

　　19.投资建议我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线.

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