国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“芯片及其制备方法、存储器、电子设备”PG电子网站的专利，公开号CN121665536A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种芯片及其制备方法、存储器、电子设备，可以避免第二沟道或第一沟道过薄或过厚。芯片包括衬底和设置在衬底上的晶体管组，晶体管组包括依次邻接的第一晶体管、介电层、第二晶体管。第一晶体管包括第一栅结构，及依次层叠设置的第一极、第一沟道、第二极、第一间隔层，第一间隔层、第二极、第一沟道中背离介电层的侧壁均齐平。第二晶体管包括第二栅结构及依次层叠设置的第三极、第二沟道、第四极、第二间隔层，第二间隔层、第四极、第二沟道中背离介电层的侧壁均齐平。第一间隔层与第二间隔层、第一沟道与第二沟道均关于介电层对称；沿第一方向，第一间隔层中朝向介电层的侧壁从与第二极和第一沟道的侧壁齐平，到逐渐远离第二晶体管。

　　天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目42192次，财产线条，此外企业还拥有行政许可1712个。

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