近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

　　目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。

　　据披露，三星正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。李政培表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料。

　　李政培透露称，在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料非常重要。

　　此外，三星将于10月20日在美国硅谷举办三星存储技术日2023的活动，其中，还将推出一些新的存储器芯片和产品。

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