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PG电子网站:电子行业:AI驱动存储周期浪潮
栏目:官网新闻 发布时间:2025-12-16
 机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成,而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据, 利用磁极的不同来标记0,1,当磁头扫过盘面,通过感应电流就可以识别PG电子网站出不同状态,即读取数据;增强磁头的磁性,可以改变盘面记录单元的状态,实现写入数据。  DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(bit)的0,1

  机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成,而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据, 利用磁极的不同来标记0,1,当磁头扫过盘面,通过感应电流就可以识别PG电子网站出不同状态,即读取数据;增强磁头的磁性,可以改变盘面记录单元的状态,实现写入数据。

  DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(bit)的0,1。DRAM的基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成,电容中有电荷代表“1”,没有电荷代 表“0”。由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露,所以需要周期性地进行“充电” 。

  Flash的最小存储单元是浮栅晶体管,利用导通特性对应记录不同状态。在存储单元晶体管的栅(Gate)中,注入不同数量的电子,通过改变栅的导电性能,改变晶体管的导 通效果,实现对不同状态的记录和识别。

  硬盘仍存储全球大部分数据,闪存存储容量迅速上升。从全球存储容量看,根据IDC数据,2022年全球存储年新增总容量约为3.0ZB,预计到2025年全球存储年新增总容量 将达到4.7ZB。2022年,58.0%数据由硬盘存储,而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为30.5%、1.0%、7.0%、3.5%。根据IDC预测,2023-2028年全球生成数据量将增 长3倍,2028年达到394ZB;但对比2005年的0.425ZB,仅约2%的数据被实际存储,“存储能力滞后于数据生成能力”的缺口显著。

  根据IDC数据,2024年机械硬盘市场规模整体约180亿美元,占总体存储市场规模约10%,位列数字存储市场规模第三,据IDC数据,2024年HDD年出货量约为不到2亿个。 据Statista数据,机械硬盘出货量1996-2010年稳定增长,从1996年的1.05亿个增长至2010年的6.51亿个,达到历史最高点。随着存储器的更新迭代,尤其是SSD(固态硬盘) 技术的进步,机械硬盘的地位受到挑战,2011年开始出货量整体呈现下降趋势,据IDC数据,截至2024年全球机械硬盘出货量下降至1.24亿个。

  2010年以后机械硬盘厂商数量逐渐减少。2008年以前,机械硬盘市场集中度较低,各厂商竞争激烈。而后,市场集中度提升,西部数据、希捷、东芝等厂商成为机械硬盘 龙头,从2012年开始,以上三家占据全球市场超过90%份额。根据IDC数据,2024年,希捷、西部数据、东芝市占率分别为40.0%、40.8%、19.2%,其中希捷、西部数据市 占率合计达80.8%,呈现双寡头垄断格局。

  机械硬盘自身瓶颈难以突破,AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”,SSD大敌崛起

  机械硬盘自身瓶颈难以突破,SSD大敌崛起。受限于物理结构瓶颈,机械硬盘体积难以缩小或成本较高,增长前景显现停滞。固态硬盘(Solid State Drives)由多个闪存颗粒 和主控芯片组成,没有运动结构设计;而机械硬盘有碟盘和读写磁头组成。AI时代背景下,大规模“冷数据”变为“温热数据”,存储介质迎来新机遇。随着大模型训练 与推理对数据访问需求持续增长,数据量在大幅增长的同时,大量先前被视为“冷数据”的资源被重新激活,这些数据因频繁参与模型迭代与实时推理,逐渐转变为“温 数据”,甚至因持续调用而成为“热数据”,这意味着数据利用效率显著提升,同时对存储介质提出了新的要求。相比HDD,SSD不仅拥有更快的读写速度,而且具有低 功耗、防震抗摔性好、发热低等优势。

  SSD价格逐渐下降,与HDD价格差距不断缩小。随着技术的发展,SSD平均价格与HDD平均价格差异逐渐缩小,加之SSD各方面的性能优势,硬盘市场逐渐被SSD占领。

  存储价格变化符合摩尔定律,每18个月集成度提升1倍,性能提升1倍,单位价格下降1/2。根据NIMBUS数据,1960年代,磁带平均容量仅为2.3MB,而每GB价格却高达 1791英镑,1970年代流行的软盘价格更是高达2-3万英镑/GB。伴随着硬盘技术的发展及普及,存储价格迅速下降,1990年代,单位GB存储价格跌至100英镑以下,CDROM价格仅为6.03英镑/GB。21世纪开始,DRAM、闪存进入人们视野,成为主流存储方式,存储价格进一步下降,单位GB存储价格平均为0.5-0.8英镑。

  存储芯片:供需格局紧张,预计25Q4 DRAM/NAND价格均环比提升,有望创历史新高

  25Q3存储芯片价格速递:旧制程产品价格激增带动DRAM合约价环比提升10%~15%;HDD供给短缺与过长交期使CSP需求快速转向QLC Enterprise SSD,短期内急单大量涌入,驱动NAND合约价环比提升3%~8%。 从存储合约价看—(1)DRAM:25Q3季度一般型DRAM合约价环比提升10%~15%,若纳入HBM产品,价格环比提升15%~20%;(2)NAND: 25Q3季度NAND合约价环比提升3%~8%。 从存储大厂看—(1)SK海力士:25Q3季度,DRAM ASP环比提升中个位数百分比,NAND ASP环比提升低十位数百分比;(2)美光:FY25Q4季度,DRAM ASP环比提升低十位数百分比,NAND ASP环比提升高个 位数百分比。

  25Q4存储芯片价格展望:服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大,驱动Q4 DRAM合约价环比提升13%~18%;受QLC NAND产品热度的外溢效应驱动,带动Q4 NAND合约价环比提升5%~10%。 (1)DRAM:由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM,排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能,同时受各终端产品需求分化影响,第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观,新世 代产品涨势相对温和,预计25Q4季度一般型DRAM合约价环比提升8%~13%,若纳入HBM产品,价格环比提升13%~18% 。 (2)NAND:由于Server OEM及CSP业者上半年积极清理库存,加上英伟达新一代Blackwell芯片于25H2进入放量出货阶段,叠加HDD供给吃紧,带动Enterprise SSD需求大幅攀升,预计25Q4季度NAND合约价将环比 提升5%~10%。

  据我们测算,2025年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+23%/+26%,供需充足率为-5%,供不应 求状态下,价格有望上涨。 从需求容量来看,2024年为2377亿Gb, 同比+22%,并预计2025年提升至3000亿 Gb,同比+26%。分下游应用来看,HBM及其他DRAM需 求容量2025年分别同比+89%、24%。 据我们测算,2026年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+17%/+25%,供需充足率为-9%,供不应 求状态进一步加剧,价格有望上涨。 从需求容量来看,预计2026年分别提升至 3745亿Gb,同比+25%。 分下游应用来看, HBM及其他DRAM需 求容量2026年分别同比+67%、22%。 据我们测算,2027年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+20%/+18%,供需充足率为-7%,供不应 求状态下,价格有望上涨。 从需求容量来看,预计2027年提升至4418 亿Gb,同比+18%。 分下游应用来看, HBM及其他DRAM需 求容量2027年分别同比+30%、17%。

  据我们测算,2025年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+12%/+19%,供需充足率为9%,供需 紧平衡状态下,价格有望上涨。需求容量来看,2024为7165亿GB,同比 +13%,并预计2025年提升至8513亿GB, 同比+19%。 分下游应用来看,PC、手机、服务器需 求容量2025年分别同比+17%、+12%、 +55%。 据我们测算,2026年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+17%/+27%,供需充足率为1%,供需 紧平衡状态进一步收紧,价格有望上涨。需求容量来看,预计2026年提升至10786 亿GB,同比+27%。 分下游应用来看,PC、手机、服务器需 求容量2026年分别同比+15%、+14%、 +69%。 据我们测算,2027年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+20%/+18%,供需充足率为3%,供需 紧平衡状态有所放松,价格上涨趋势将存在挑战。 需求容量来看,预计2027年提升至12737 亿GB,同比+18%。 分下游应用来看,PC、手机、企业级需 求容量2027年分别同比+9%、+12%、 +35%。

  (本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)

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