26 集成电路应用 2015年1月APPLICATIONS 应用专题DDR4N Flash存储器芯片发展趋势[摘要] DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，正在导入到英特尔工作站／伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3内存芯片将 同时存在一段时间；至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（Program Erase；P/E）来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值高的TLC从便携音频播放器、存储卡的应用导向低阶SSD。[关键词] 集成电路 存储器 DDR4N Flash[中图分类号] TP333 [文献标识码] A [文章编号] 1674-25...

　　26 集成电路应用 2015年1月APPLICATIONS 应用专题DDR4N Flash存储器芯片发展趋势[摘要] DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，正在导入到英特尔工作站／伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3内存芯片将 同时存在一段时间；至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（Program Erase；P/E）来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值高的TLC从便携音频播放器、存储卡的应用导向低阶SSD。[关键词] 集成电路 存储器 DDR4N Flash[中图分类号] TP333 [文献标识码] A [文章编号] 1674-2583(2015)01-0026-03■ 迪建DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，正在导入到英特尔工作站／伺服器以及高阶桌上型电脑平台，并与LP-DDR3内存芯片将 同时存在一段时间；至于NAND Flash快闪内存芯片也跨入1x纳米工艺流程，MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（Program Erase；P/E）来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场，而C/P值PG电子官网高的TLC从便携音频播放器、存储卡的应用导向低阶SSD。1 DDR4伺服器先行，2016超越DDR3成为主流中央处理器（CPU）、绘图芯片（GPU）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网络移动化浪潮下，持续驱动动态内存芯片PG电子官网（Dynamic RAM；DRAM）的规格进化。从非同步的DIP、EDO DRAM，到迈向同步时脉操作的SDRAM开始，以及讯号上下缘触发的DDR/DDR2/DDR3/DDR4内存芯片，甚至导入20纳米与新型态的Wide I/O介面以降低讯号脚位数与整体功耗。处理器速度与云端运算持续驱动动态内存芯片规格的演变，从DIP、EDO、SDRAM到DDR /DDR2 /DDR3 /DDR4。DDR4内存芯片将于2014H2优先导入工作站／伺服器以及高阶桌机平台。DDR4较以往不同的是改采VDDQ的终端电阻设计，目前计划中的传输速率进展到3,200 Mbps，比目前最高速的DDR3-2133传输速率快了50%，将来 不排除直达4,266 Mbps；Bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一DDR4内存芯片模组，容量就 可达到16GB容量。而DDR4运作电压仅1.2V，比DDR3的1.5V低了至少20%，也比DDR3L的1.35V还低，更比目前 x86 Ultrabook/Tablet使用的低功耗LP-DDR3的1.25V还要低，再加上DDR4首次兼容深度省电技术（Deep Power Down），进入休眠模式时无须更新内存芯片，或仅直接更新DIMM上的单一内存芯片颗粒，减少35%~50%的待机功耗。将来迈入20纳米工艺流程时，会导入3D立体堆叠加硅钻孔（3D Stacks+TSV）封装技术，以及针对绘图芯片、移动智能设备提出低脚位数的Wide I/O，来提升DRAM内存芯片单位容量与频宽。英特尔将分别把DDR4规格导入伺服器／工作站平台，以及最高阶桌上型电脑平台（High-End DeskTop；HEDT）。前者是伺服器处理器XEON E5-2600处理器（代号Haswell-EP），搭配的DDR4内存芯片为2,133Mbps（DDR4-2133）；后者则是预定第三季推出的8核心 Intel Core i7 Extreme Edition处理器，同样搭配DDR4-2133内存芯片，以及兼容14组USB 3.0、10组SATA6Gbps的X99芯片组，成为2014第4季至2015年上半年英特尔最强悍的桌上型电脑平台组合。