高带宽存储器(High Bandwidth Memory，HBM)是易失性存储器的一种。作为全新一代的CPU/GPU内存芯片，HBM本质上是指基于2.5/3D先进封装技术，把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。

　　全球HBM行业发展主要分三个阶段：初始阶段(2013-2014年)，HBM全球首款产品出现，标志着HBM技术的商业化起步;发展阶段(2015-2018年)，企业加速布局HBM产品，相关标准发布;快速迭代阶段(2019年至今)，HBM产品已发展至第五代，芯片容量和带宽快速提升。

　　第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，此后每一代HBM的升级更迭，在内存带宽、I/O速率等方面都迎来明显提升，当前HBM已发展至第五代(HBM3e)，容量最高可达36GB，内存带宽已提升至1.2TB/s，I/O速率最高可达9.2Gbps。

　　第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，2019年海力士成功量产HBM2E，随后三星和美光科技相机宣布量产HBM2E，2024年，海力士与台积电联合开发HBM4，并计划2025年完成开发。

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