闪存存储设备在经历多次P/E cycle后可靠性会降低，导致需要更多的Read Retry进行错误校正，从而导致读性能严重下降。因此，Read Retry方法的优化对闪存读取性能至关重要。叶敏博士的演讲将引领我们深入探索创新性动态Read Retry方法，探讨分析如何提高3D NAND的可靠性，实现3D NAND几乎0次Read Retry，从而极大地提升存储控制器的读性能，实现更好的性能控制和耐磨管理，高效提高存储芯PG电子官网片的寿命与性能。

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