今天分享的是：2025存储行业系列报告：AI大模型引爆需求，存储行业站上新一轮成长周期

　　在数字经济高速发展的当下，存储芯片作为半导体产业的核心分支，正迎来由AI技术驱动的全新增长机遇。最新行业报告显示，2024年全球半导体市场销售额达6305.49亿美元，其中存储芯片以1655.16亿美元的规模占据重要地位，成为支撑各类智能终端、数据中心及AI应用的关键基础设施。随着ChatGPT等AI大模型的爆发式增长，存储行业供需格局持续优化，技术迭代加速，正站在新一轮成长周PG电子官网期的起点。

　　从全球市场格局来看，存储芯片领域长期由美、日、韩企业主导。2024年第四季度，全球NAND Flash市场规模为174.1亿美元，三星、SK海力士、铠侠、美光和西部数据五大厂商合计占据92.7%的市场份额；同期DRAM市场规模攀升至293.45亿美元，三星、SK海力士、美光、南亚和华邦五大厂商的市场份额更是高达95.7%。不过，这种高度集中的格局正随着技术变革和区域市场需求变化逐步出现新的变量，尤其是AI驱动的高附加值产品领域，竞争态势持续升级。

　　AI大模型的繁荣成为存储行业增长的核心引擎，其中高带宽内存（HBM）的爆发最为引人注目。作为专为高性能计算设计的3D堆叠DRAM，HBM凭借超高带宽、低功耗的优势，成为AI训练服务器的核心组件。随着GPU性能不断提升，传统内存的带宽瓶颈日益凸显，HBM通过硅通孔（TSV）和2.5D封装技术，将存储芯片与计算芯片的互连距离从数厘米缩短至数百微米，大幅提升数据传输效率。行业预测显示，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收占比将超过DRAM总营收的50%。2025年HBM需求预计增长超80%，其中12层堆叠的HBM3e产品将成为主流，替代传统8层产品，推动DRAM产业价值向高附加值领域迁移。

　　在HBM竞争中，SK海力士表现尤为突出。2025年一季度，凭借在HBM领域的技术优势和产能布局，SK海力士以36.7%的市场份额首次超越三星，登顶全球DRAM市场第一，终结了三星长达四十余年的统治地位。目前，SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4产品，支持下一代AI加速器研发，预计到2026年将占据HBM3e 8层和12层产品60%及75%以上的市场份额。美光也在积极推进12层HBM4研发，而三星则在加速追赶，全球HBM市场的技术竞赛日趋激烈。

　　除HBM外，DRAM行业的技术演进还体现在制程微缩与3D架构转型上。当前，三星、SK海力士、美光等头部厂商已将DRAM制程推进至10nm级别，美光更是率先推出基于第六代10nm级制程的LPDDR5x产品。同时，随着2D制程微缩逼近物理极限，3D DRAM成为未来发展方向。SK海力士近期提出的30年技术路线D DRAM技术将应用于10nm及以下级内存，进一步提升存储密度和性能，满足AI、云计算等场景的海量数据存储需求。此外，下一代内存标准DDR6的研发也在稳步推进，预计2026年完成平台认证，2027年率先在服务器市场商用，届时将实现8.8Gbps至17.6Gbps的传输速率，为存储性能再添新动力。

　　NAND Flash领域同样呈现供需改善与技术升级双重利好。经历2025年上半年的减产与库存去化，NAND市场供需失衡状况显著缓解，叠加AI投资加码及英伟达新一代Blackwell芯片出货支撑，行业需求持续回暖。TrendForce预测，2025年第三季度NAND Flash平均合约价将季增5%至10%，其中企业级SSD等高端产品涨幅领先。技术层面，3D NAND正朝着更高堆叠层数迈进，铠侠已公布1000层3D NAND技术路线 Gbit/mm²的存储密度，大幅提升单芯片容量并降低单位成本。SK海力士则率先量产321层堆叠的4D NAND产品，通过将外围电路集成于存储单元下方，进一步优化存储容量与成本结构，推动NAND技术从3D向4D时代跨越。

　　从应用市场来看，服务器、PC和移动终端仍是存储芯片的三大核心需求领域。2023年，移动端产品消耗34%的NAND Flash产能，PC端占比26%，服务器端占比14%；DRAM市场中，2024年移动端和服务器端需求占比分别为34%和32%，PC端占比15%。随着AI服务器需求爆发，服务器用存储芯片的增速显著高于消费级市场，成为拉动行业增长的关键力量。同时，汽车电子、工业控制、物联网等新兴领域的存储需求也在快速增长，为行业开辟了新的增长空间。

　　在国内市场，存储产业正加速崛起。2023年中国存储芯片市场规模达2591亿元，2018-2023年复合增速达20.38%，其中DRAM产品占比约56%。长江存储、长鑫存储等本土企业在3D NAND和DRAM领域持续突破，长江存储的第五代TLC 3D NAND产品凭借高存储密度和低功耗优势，已广泛应用于消费级、企业级存储场景；长鑫存储则实现DDR4、LPDDR4x等产品量产，逐步打破海外厂商垄断。此外，澜起科技、兆易创新、紫光国微等企业在内存接口芯片、NOR Flash、特种存储等细分领域也展现出强劲的技术实力，本土存储产业链的竞争力不断提升。

　　展望未来，在AI大模型、云计算、大数据等技术的持续驱动下，存储行业的增长确定性显著增强。无论是HBM引领的DRAM价值重构，还是3D/4D NAND推动的存储密度提升，都将为行业带来长期发展机遇。同时，随着本土企业技术突破和产能扩张，全球存储市场的竞争格局有望进一步多元化，中国存储产业在全球产业链中的地位也将持续提升，为全球存储行业的创新与增长注入新的活力。