存储芯片，又称半导体存储器，可分为易失性存储芯片（断电后数据丢失）和非易失性存储芯片（断电后数据不丢失）

　　非易失性存储芯片包括Flash（闪存）和 ROM（只读存储器）。闪存芯片又分NAND Flash和 NOR Flash两种。

　　NAND Flash 容量大，主要用于大容量数据存储；NOR Flash容量较小，但可以直接在芯片内执行程序代码（XIP），通常用来存储开机软件程序。ROM 目前应用最多的主要为 EEPROM，存储容量更小，通常用来存取少量的程序代码。

　　因易失性存储芯片和非易失性存储芯片的应用场景不同，二者不存在明显替代关系。

　　Flash 包括 NAND Flash 和 NOR Flash 两大类。NAND Flash 适宜大容量数据存储（通常在 1Gb～1Tb），常用于服务器、手机闪存、U 盘、SSD 及 SD 卡等大容量产品。NOR Flash 具备读取速度快、随机存储和芯片内执行等特点，适宜中等容量代码存储（通常在 1Mb～1Gb），应用领域较广，如计算机、消费电子（智能手机、TV、TWS 耳机、穿戴式设备）、安防设PG电子平台备、汽车电子（ADAS、车窗控制、仪表盘）、5G 基站、工业控制（智能电表、机械控制）及物联网设备等领域。

　　EEPROM 具有数据保存时间长、擦写次数多（可频繁改写，使用寿命长）等特点，适宜低容量存储（通常在 1Kb～1Mb），主要用于存储需经常修改的数据，如手机摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、蓝牙模块存储控制参数、内存条温度传感器内存储温度参数等。

　　①在芯片功能方面，NAND Flash 和 NOR Flash 虽同属于闪存芯片，但彼此原理和结构的差异，导致其功能差异明显。NAND Flash 具有写入和擦除速度快、存储密度高等特点，适宜大容量数据存储。NOR Flash 具有读取速度快和芯片内执行（XIP）等特点，多用于中等容量代码存储。NOR Flash 芯片内执行这一特点，使得 CPU 可以直接对 NOR Flash 进行读取和存储，不必把应用程序代码读到系统 RAM 中即可直接运行。

　　但 NAND Flash 则需要 RAM 配合才能完成程序代码的运行。NOR Flash 读取速度快这一特点使得它在运行程序时的优势更加明显，尤其对于开机响应时间、可靠性等具有较高要求的电子设备，NOR Flash 已经成为首选。EEPROM 具有擦写次数多、数据保存可靠等特点，常应用在低容量存储领域。

　　②从功能来看，NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 虽同属于非易失性存储器，但三者各有特点，功能和容量差异明显，各自的应用场景相对明确，相互之间不存在明显的替代关系。

　　③在芯片成本方面，由于三者电路结构不同，随着容量的增加，单颗芯片的成本变化在三种非易失性存储器芯片之间呈现不同的变化趋势。通常情况下，当单颗容量达到 1Gb 以上，NAND Flash 单颗芯片的成本显著低于 NOR Flash；当单颗容量低于 1Mb 以下，EEPROM 单颗芯片的成本显著低于 NOR Flash；而当单颗容量介于1Mb～1Gb之间时，NOR Flash单颗芯片的成本则展现出明显的竞争力，NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 在不同容量区间内，各自具有明显不同的成本优势。

　　NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 作为三种非易失性存储器芯片，已经形成了各自相对稳定的应用领域和市场，三者将保持长期共存、互相补充、各自发展的态势。

　　图表：2021-2023年全球nor flash行业市场规模（单位：亿美元）