金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“8管2端口静态随机存取存储器的制造方法”的专利，公开号CN120456545A，申请日期为2024年02月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种8管2端口静态随机存取存储器的制造方法，芯片存储器区域内的6个晶体管的N LDD工艺使用原来的存储单元N LDD光罩及存储单元P LDD光罩,将读端口的N晶体管从原来的存储单元N LDD光罩分离出来,不使用原来的存储单元N LDD光罩做N离子注入，转至使用逻辑器件N场效应管阈值电压调整光罩,在进行芯片逻辑区域内的逻辑器件的LDD的同时，打开读端口的N晶体管的源漏区进行离子注入，完成读端口的N晶体管的N LDD工艺,用来调整读端口的N晶体管的阈值电压Vt及源漏导通电流Ids,从而可以调整读端口的读电流的高低及读速度的快慢，并且不会影响到存储单元内部6TSRAM的读取写入平衡,不需要额外增加光罩，不需要增加制程步骤。

　　天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人PG电子平台民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2375条，此外企业还拥有行政许可344个。

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