不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash（贴片式TF卡），尺寸小巧，简单易用，兼容性强，稳定可靠，固件可定制，LGA-8封装，标准SDIOPG电子官网接口，兼容SPI/SD接口，兼容各大MCU平台，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸6x8mm毫米，内置SLC晶圆擦写寿命10万次，通过1万次随机掉电测试耐高低温，支持工业级温度-40°~+85°，机贴手贴都非常方便，速度级别Class10（读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S）标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND，提供STM32参考例程及原厂技术支持，主流容量：128MB/512MB/4GB/8GB，比TF卡稳定，比eMMC便宜，样品免费试用。

　　•擦写寿命长(内置SLC晶圆,擦写寿命可达5-10万次，专为嵌式而生)。

　　•免驱动(即贴即用)直连SD/SPI接口即可使用，已内置Flash管理程序。

　　•稳定可靠:已通过10k次随机掉电高低温冲击测试。内置FW包含平均读写，坏块管理，垃圾回收等处理机制。

　　•读写速度更快( 兼容SD2.0协议，最高支持SD 3.0协议) 尤其是小文件读写速度。

　　•NAND Flash的块存在擦写寿命的限制。在有擦写动作时，SD NAND会调用平均读写算法，避免只擦写某-部分物理块。从而PG电子官网达到整体物理块的可用寿命-致。 提高SD NAND整体使用寿命和稳定性。

　　•NAND Flash在存储数据时存在位反转和位偏移现象。因此数据在写入NAND Flash后需加上校验位。当数据出现错误时，SD NAND先会调用错误探测算法(EDC)发出提示，然后调用错误纠正算法(ECC )对错误数据进行修复。

　　•NAND Flash如果对集中的物理块进行擦写动作，产生的强电场会影响到周边的块。SD NAND采用均衡电荷散射算法，可以把擦写的块在物理上均匀分布，电场相互抵消，降低擦写操作对周边块的影响。

　　•NAND Flash在更新数据时，新数据会写入到空白块中，存储旧数据的块会被标识为垃圾。随着”垃圾数据的日积月累，SD NAND会主动将有效数据块搬移，然后执行整个垃圾块擦除以回收空间。

　　CS创世 SD NAND本质上也是一种NAND Flash产品。很多用户看完基本介绍还是有很多困惑：那它跟其他NAND Flash产品比如eMMC，普通TSOP NAND Flash，TF/SD卡有什么区别呢？•面对一个新项目或者新产品，我们该怎么选择合适自己的存储芯片呢？•为什么MCU等平台在使用大容量存储时会倾向于使用SD NAND？•CS品牌SD NAND为什么又被称为迷你型eMMC，贴片式TF呢？•除了智能手表，手环等智能穿戴设备，SD NAND又在哪些领域有应用？•关于这些问题，我们也在不断优化，并做了一个专栏，能为您答疑解惑：。•若您有更好的建议，欢迎与我们交流:(微信同号)。