其中DRAM、NAPG电子平台ND、HBM这三种占到了其中的95%以上，DRAM主要指的是内存芯片，NAND指的是闪存芯片，HBM是DRAM的这种，但主要用于AI芯片中。

　　在2017年前，中国没有任何NAND、DRAM芯片生产能力，全部靠进口。

　　但是到了2024年时，有机构数据显示，中国本土存储芯片厂商，已经拿下了全球5-7%左右的份额，而预计到2025年底时，可能会达到10%左右的份额。

　　而这中间，主要是两大存储巨头的功劳，一家是长江存储，主攻NAND闪存，一家是长鑫存储，主攻DRAM内存。

　　长江存储是全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商，但后来被美国打压，导致在技术突破上没能及时跟进，目前从先进技术上来看，似乎比三星、美光等厂商落后了一点点。

　　但长江存储不断的进行国产设备替代，依托国产设备，制造出先进的存储芯片，同时产能扩大，份额不断的提升，在NAND市场，占到了5%以上的份额，且市场还在持续增长，预计2025年时，有望达到7-10%。

　　长鑫存储目前的技术，是DDR5，虽然在指标、参数方面没有三星、美光等巨头先进，但其实落后并不远，另外长鑫存储进军HBM市场了。

　　按照机构的分析，在2020年前长鑫的市场还是可以忽略，但至2024年时，也达到了5%左右，预计到2025年，会达到10%甚至更多。

　　机构认为，中国两大存储芯片厂商，接下来还会继续扩产，滚雪球式的产能扩张，然后份额会越来越大，2025年达到10%，然后在未来2-3年，达到20-25%左右，然后超过美国，成为仅次于韩国的全球第二名。

　　用行业内的话来说，目前中国存储芯片企业，正经历着“市占率越提升，产量就越大，良率也越高，成本越来越低，进而再度提升市场占有率”这么一个过程。再加上中国有着巨大的需求，所以中国存储芯片，正形成「滚雪球效应」。

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