东芯股份聚集中小容量存储芯片，现已形成SLCNAND+NOR+DRAM+MCP四大
（1）存储周期角度看，2019年NANDFlash芯片市场价格大幅度波动，2019年
下半年2GSPINAND部分产品价格最高降幅甚至达到50%以上，造成毛利率下降
近14个百分点，2020年到2021年，随着NAND系列产品价格企稳以及需求的复
苏，公司毛利率在2021年Q4达到单季度历史最高点50.05%，扭亏为盈；本轮存
储周期看，2022年Q3以来由于终端需求疲弱叠加存储产品价格连续下跌，公司
（2）供需角度看，供给侧海外大厂持续减产的同时发力高端算力相关产品以及大
宗类产品，需求侧一方面网通路由器/基站/物联网市场缓慢恢复，同时当终端产品
存储容量大于128Mb时，SLCNAND价格会显著优于NORFlash，在智能手环等
领域SLCNAND逐渐替代NORFlash产品成为主流趋势。当前利基型存储芯片价
格仍然处于L型底部区域，随着供需关系趋于平衡，我们认为利基型产品价格有望
在2024年迎来反弹，同时公司经过前期市场培育和国内大客户的积极开拓合作，
股，占比3%，2021年以来哈勃持股数量未发生改变。公司现有安承汉、康太京、
李炯尚、陈慧、陈纬荣五名核心技术人员，均有数十PG电子网站年以上的从业经验。2023年
以来存储市场景气度低迷，同时产品价格下滑明显，公司业绩有所承压，23Q3实
现营收1.31亿元，同比减少43.81%，环比增长13.54%；归母净利润-0.71亿元，
亏损幅度环比扩PG电子网站大。营收组成方面，NAND占据六成营收。毛利率和净利率方面，
2023年以来毛利率和净利率承压明显，23Q3毛利率为7.53%，净利率为-53%，
1）DRAM：公司现有DDR3（L）和LPDDR两大系列，均由力积电代工。基于力
电28nm的制程为主，1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制
造。3）NOR：公司SPINORFlash最高制程达到48nm，与华邦电、旺宏处于同
一水平。在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm；目前该制程产
2009年至2023年Q3各季度全球智能手机出货量及同环比（百万台，%）