无论是三星还是SK海力士，想要生产下一代NAND闪存，都无法绕开长江存储的专利！

　　今天下午，韩国媒体ZDNET Korea报道，三星电子近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议。因为评估认为，下一代NAND业务的不确定性增加，从V10（第10代） NAND开始，已经无法再避免长江存储专利的影响。

　　除了三PG电子官网星，ZDNET Korea还强调，韩国另一大存储芯片巨头SK海力士的下一代NAND闪存芯片的核心专利，也需要依赖中国，预计SK海力士也将与长江存储签署专利协议。

　　看到这里，可能有读者会好奇，目前三星、SK海力士几乎垄断了全球的NAND市场，那为什么在下一代NAND闪存芯片领域，又必须依赖长江存储呢？

　　V10是三星电子的下一代NAND，计划于今年下半年量产。根据三星的规划，V10的堆叠层数估计在420到430之间。

　　但目前，量产的NAND闪存的堆叠层数都在300层左右。其中，海力士、三星当前量产的堆叠层数最高的产品堆叠层数分别为286层、321层。

　　那么，如何将3D NAND闪存芯片的堆叠层数从300层提高到400层？这并不是常规的技术演进，涉及到重大的技术跨越。而在这个技术跨越中绕不开长江存储的专利。

　　据 ZDNet 报道，三星之前在 NAND 生产中使用了 COP（外围单元）方法，即将外围电路置于一个晶圆上，并将单元堆叠在上面。然而，随着层数超过 400，下层外围的压力会影响可靠性，即施加于下部渡轮的压力可能会变得很大并造成损坏。

　　因此，三星、海力士等企业决定采用W2W（晶圆到晶圆）混合键合技术，即在单独的晶圆上制造电池和渡线，然后将它们组合成一个。而这一技术，其实就是长江存储大约四年前就开始积极量产名为“Xtaking”的混合键合技术。

　　据ZDNET Korea报道报道，目前拥有混合键合相关技术专利最多的三家公司分别是Xperi、长江存储和TSMC。那么，为什么三星为什么首先要与长江存储合作？

　　最初，长江存储与美国专利授权公司Xperi签署协议获得了混合键合技术的原始专利。此后，长江存储通过自主技术创新，在混合键合技术技术方面又建立了相当多的自主技术专利。

　　目前，长江存储的“Xtaking”技术已经演进到第四代，即“4.x”版本。长江存储此前已利用Extacking技术量产了160级、192级、232级等产品。因此，有评估认为这已实现了混合键合的技术稳定。

　　相比之下，Xperi是一家专利授权公司，而台积电虽然是一家半导体代工企业，但其本身并不生产NAND闪存芯片。

　　最后，ZDNET Korea援引知情人士的话称： “三星电子也是在判断其在V10、V11和V12等下一代NAND的开发中几乎不可能避开长江存储的专利的情况下签订了许可协议。”

　　不过需要注意的是，虽然三星获得了长江存储的专利授权，但在生产成本上，还是会高于长江存储。TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示：“由于存在许多变化，例如工艺转换和新设施投资，因此与长期采用混合键合技术的长江存储相比，制造成本必然会高得多。”

　　韩国媒体东亚日报报道，据韩国科学技术企划评价院23日的报告书显示，以2024年为准，韩国在半导体核心技术5个领域中，在高集成存储器，高性能人工智能半导体，电力半导体，新一代高性能传感技术等4个领域落后于中国。在先进封装技术领域，被评价为与中国打个平手。

　　报告书评价说，以半导体技术生命周期为准，在工艺和批量生产技术上，韩国虽然领先于中国，但在基础、原创研究和设计技术上，不仅落后于中国，而且在主要国家中处于最低水平。

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