此前有报道称，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，并向合作伙伴订购了设备，预计2025年第一季度开始进行安装，为HBM4的PG电子网站生产铺平道路。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm（电路线月开始量产。

　　据TrendForce报道，自2024年下半年以来，三星就在重新调整1cnm DRAM的设计，原因也是老生常谈的问题，就是良品率。三星的1cnm DRAM自开发以来一直存在良品率问题，2024年末的试产并没有达到预期的效果，而大规模生产准备阶段的良品率通常在60%至70%左右。

　　三星的新方法侧重于保持核心电路线宽的紧凑，并放宽外围的电路线宽，从而提高良品率，以确保HBM这类高价值存储器可以稳定量产，预计今年5月到6月之间会看到效果的显PG电子网站著提升。三星希望能够尽快完成调整，毕竟竞争对手SK海力士最快2025年2月开始量产1cnm DRAM芯片，将成为全球首家运用1cnm工艺生产DRAM芯片的存储器供应商。

　　此外，中国存储器制造商的快速发展也给三星带来了压力，传闻长鑫存储（CXMT）开始使用D1z工艺（16nm）大规模生产DRAM芯片。