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爱思开海力士申请存储器芯片相关专利能改进存储器芯片的性能-PG电子官网
爱思开海力士申请存储器芯片相关专利能改进存储器芯片的性能
栏目:官网新闻 发布时间:2025-02-12
 金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器芯片、存储器装置和制造存储器装置的方法”的专利,公开号CN 119342826 A,申请日期为2024年1月。  专利摘要显示,本公开涉及存储器芯片、存储器装置和制造存储器装置的方法。一种存储器芯片包括多条微型图案线、覆盖微型图案线的部分的覆盖层。接合焊盘穿过覆盖层并联接到微型图案线中的一条。接合焊

  金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器芯片、存储器装置和制造存储器装置的方法”的专利,公开号CN 119342826 A,申请日期为2024年1月。

  专利摘要显示,本公开涉及存储器芯片、存储器装置和制造存储器装置的方法。一种存储器芯片包括多条微型图案线、覆盖微型图案线的部分的覆盖层。接合焊盘穿过覆盖层并联接到微型图案线中的一条。接合焊盘包括联接到相关联的微型图案线的第一焊盘部分和联接到第一焊盘部分并且暴露于存储器芯片的顶表面的第二焊盘部分。第二焊盘部分的上表面具有凸形形状。

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